[发明专利]一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统及再生方法在审
申请号: | 202010933435.7 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN111926334A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 苏伟;叶宗和;王海峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市志凌伟业光电有限公司 |
主分类号: | C23F1/46 | 分类号: | C23F1/46;C23F1/08;C23F1/18 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 林栋 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道大富*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 酸性 氯化铜 蚀刻 再生 系统 方法 | ||
1.一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统,其特征在于:包括电连接的控制器、自动加液系统和传感器,所述传感器伸入盛放蚀刻液的蚀刻槽中,所述自动加液系统包括两个储液罐,两个所述储液罐分别盛装盐酸和过氧化氢,所述储液罐上分别设有注射器,所述注射器的注射口朝向所述蚀刻槽。
2.根据权利要求1所述的酸性氯化铜蚀刻液再生系统,其特征在于:所述传感器为光传感器。
3.根据权利要求1所述的酸性氯化铜蚀刻液再生系统,其特征在于:所述注射器上设有流量计,所述流量计与所述控制器电连接。
4.根据权利要求1所述的酸性氯化铜蚀刻液再生系统,其特征在于:还包括用于搅拌所述蚀刻液的搅拌组件,所述搅拌组件设置在所述蚀刻槽内。
5.一种酸性氯化铜蚀刻液再生方法,其特征在于:包括以下步骤,
实时检测蚀刻槽内蚀刻液中铜离子的浓度;
当检测到所述铜离子的浓度超过第一阈值时,向所述蚀刻液中加入至少一次盐酸和过氧化氢;
当检测到所述铜离子的浓度低于第二阈值时,停止向所述蚀刻液中加入盐酸和过氧化氢。
6.根据权利要5所述的酸性氯化铜蚀刻液再生方法,其特征在于:所述第一阈值为25g/L,所述第二阈值为12g/L。
7.根据权利要5所述的酸性氯化铜蚀刻液再生方法,其特征在于:每次向所述蚀刻液中加入盐酸和过氧化氢时,所述盐酸与所述过氧化氢的摩尔比为2:1~3:1。
8.根据权利要5所述的酸性氯化铜蚀刻液再生方法,其特征在于:当检测到所述蚀刻液中所述铜离子的浓度小于第三阈值时,更换所述蚀刻槽内的所述蚀刻液,其中所述第三阈值小于所述第二阈值。
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