[发明专利]一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统及再生方法在审
申请号: | 202010933435.7 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN111926334A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 苏伟;叶宗和;王海峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市志凌伟业光电有限公司 |
主分类号: | C23F1/46 | 分类号: | C23F1/46;C23F1/08;C23F1/18 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 林栋 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道大富*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 酸性 氯化铜 蚀刻 再生 系统 方法 | ||
本发明公开了一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统,包括电连接的控制器、自动加液系统和传感器,传感器伸入盛放蚀刻液的蚀刻槽中,自动加液系统包括两个储液罐,两个储液罐分别盛装盐酸和过氧化氢,储液罐上分别设有注射器,注射器的注射口朝向蚀刻槽。或,一种酸性氯化铜蚀刻液再生方法,包括以下步骤,实时检测蚀刻槽内蚀刻液中铜离子的浓度;当检测到铜离子的浓度超过第一阈值时,向蚀刻液中加入至少一次盐酸和过氧化氢;当检测到铜离子的浓度低于第二阈值时,停止向蚀刻液中加入盐酸和过氧化氢。本发明的酸性氯化铜蚀刻液再生系统延长了蚀刻液的使用时间,进而降低废液的处理成本,利于保护环境,且再生过程中不会产生有毒有害气体,安全性强。
技术领域
本发明涉及触控屏技术领域,尤其涉及一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统及适用于酸性氯化铜蚀刻液再生系统的再生方法。
背景技术
大尺寸的触控屏内部核心的传感材料通常选用铜制成的金属网格,这种金属网格是将整面以PET为基材的铜膜经由压膜、曝光、显影、蚀刻、脱膜等工艺得到,其中蚀刻工艺通常采用主体为酸性氯化铜溶液的蚀刻液,蚀刻液会将PET基材表面的铜膜蚀刻掉进入蚀刻液,其反应原理为:
Cu+CuCl2→2CuCl
蚀刻反应生成的CuCl不溶于水,在过量的氯离子存在下,生成可溶性的络离子:
2CuCl+4Cl-→2[CuCl3]2-
随着越来越多的铜膜被蚀刻,蚀刻液内的Cu2+越来越少,Cu+越来越多,于是蚀刻液的的蚀刻能力下降,当蚀刻液的蚀刻能力下降到一定程度,需要将蚀刻液排出更换新的蚀刻液,被排出的蚀刻液最终流向废水处理厂,而蚀刻液中被蚀刻掉的大量的铜被浪费,且酸性废液可能造成环境污染,增加了废水处理厂的处理难度和处理成本,因此需要一种酸性氯化铜蚀刻液的再生方法及再生系统延长蚀刻液的使用时间,减缓蚀刻液的更换速度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种减缓蚀刻液更换速度的酸性氯化铜蚀刻液再生系统及适用于酸性氯化铜蚀刻液再生系统的再生方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统,包括电连接的控制器、自动加液系统和传感器,所述传感器伸入盛放蚀刻液的蚀刻槽中,所述自动加液系统包括两个储液罐,两个所述储液罐分别盛装盐酸和过氧化氢,所述储液罐上分别设有注射器,所述注射器的注射口朝向所述蚀刻槽。
为了解决上述技术问题,本发明还采用以下技术方案:一种酸性氯化铜蚀刻液再生方法,包括以下步骤,
实时检测蚀刻槽内蚀刻液中铜离子的浓度;
当检测到所述铜离子的浓度超过第一阈值时,向所述蚀刻液中加入至少一次盐酸和过氧化氢;
当检测到所述铜离子的浓度低于第二阈值时,停止向所述蚀刻液中加入盐酸和过氧化氢。
本发明的有益效果在于:实时检测蚀刻槽内蚀刻液中的铜离子浓度,当铜离子的浓度超过阈值时自动向蚀刻槽内加入盐酸和过氧化氢与反应槽中的氯化亚铜反应生成氯化铜,实现酸性氯化铜蚀刻液的再生,延长蚀刻液的使用时间,减缓蚀刻液的更换速度及减少蚀刻液的排放频率,进而降低废液的处理成本,利于保护环境,且再生过程中不会产生有毒有害气体,安全性强。
附图说明
图1为本发明实施例一的酸性氯化铜蚀刻液再生系统的结构示意图;
图2为本发明实施例二的酸性氯化铜蚀刻液再生方法的流程图。
标号说明:
1、控制器;2、自动加液系统;21、储液罐;22、注射器;3、传感器;4、蚀刻槽。
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