[发明专利]半导体装置封装和其封装方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

载体；

电子组件，其安置在所述载体之上并且具有有源区域；

缓冲层，其安置在所述电子组件的所述有源区域上；

加强结构，其安置在所述缓冲层上；以及

封装体，其包封所述载体、所述电子组件和所述加强结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的弹性模量与所述加强结构的弹性模量不同。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的所述弹性模量小于所述加强结构的所述弹性模量。

4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述弹性模量是杨氏模量。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的所述杨氏模量等于或小于10GPa。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的侧面和所述加强结构的侧面基本上共面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的侧面、所述加强结构的侧面和所述电子组件的侧面基本上共面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述电子组件的面积大于所述缓冲层的面积。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括导电线，其中所述导电线的第一端连接到所述电子组件的表面并且所述导电线的第二端连接到所述载体的表面。

10.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述导电线的所述第一端和所述第二端从所述缓冲层暴露。

11.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述导电线的所述第一端被所述缓冲层覆盖并且所述导电线的所述第二端从所述缓冲层暴露。

12.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述加强结构具有至少一个开口或沟槽。

13.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述加强结构是单晶材料。

14.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中在正常温度下，所述缓冲层的热膨胀系数(CTE)大于所述加强结构的热膨胀系数(CTE)。

15.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

粘性层，其安置在所述电子组件与所述载体之间。

16.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的所述杨氏模量与所述封装体的杨氏模量不同。

17.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其中所述缓冲层的所述杨氏模量小于所述封装体的杨氏模量。

18.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述电子组件是电流传感器芯片、磁传感器芯片或压电传感器芯片。

19.一种用于封装半导体装置的方法，其包括：

提供载体；

在所述载体上安置电子组件；

在所述电子组件上安置缓冲层；以及

在所述缓冲层上安置加强结构。

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：

包封所述载体、所述电子组件、所述缓冲层和所述加强结构。