[发明专利]半导体装置封装和其封装方法在审

专利信息
申请号: 202010934742.7 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112490199A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 黄煜哲;赖律名 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/16;H01L21/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 方法
【说明书】:

发明提供了一种半导体装置封装和其封装方法。所述半导体装置封装包括载体、电子组件、缓冲层、加强结构以及封装体。所述电子组件安置在所述载体之上并且具有有源区域。所述缓冲层安置在所述电子组件的所述有源区域上。所述加强结构安置在所述缓冲层上。所述封装体包封所述载体、所述电子组件和所述加强结构。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体装置封装和其封装方法。

背景技术

半导体装置封装(semiconductor device package)可以具有半导体装置(例如,管芯或芯片),所述半导体装置附接到载体并且由封装体(encapsulant)所包封。然而,在制造期间由热循环引起的应力(例如,热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)不匹配)可能存在于半导体装置封装中。残余应力可能对半导体装置封装的性能或可靠性产生不利影响。

发明内容

根据本公开的一些实施例,提供了一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含载体、电子组件、缓冲层、加强结构以及封装体。所述电子组件安置在所述载体之上并且具有有源区域。所述缓冲层安置在所述电子组件的所述有源区域上。所述加强结构安置在所述缓冲层上。所述封装体包封所述载体、所述电子组件和所述加强结构。

根据本公开的一些实施例,提供了一种用于封装半导体装置的方法。所述方法包含提供载体。所述方法还包含在所述载体上安置电子组件。所述方法进一步包含在所述电子组件上安置缓冲层。所述方法进一步包含在所述缓冲层上安置加强结构。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时,可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。注意,各种特征可能未按比例绘制,并且为了讨论的清楚起见,可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面视图的示意图。

图1A、图1B、图1C、图1D、图1E和图1F展示了根据本公开的一些实施例的用于封装半导体装置的方法。

图2是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面视图的示意图。

图3是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面视图的示意图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E和图3F展示了根据本公开的一些实施例的用于封装半导体装置的方法。

图4是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面视图的示意图。

图5是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面视图的示意图。

图6A、6B和6C是展示了根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的示意图。

具体实施方式

下文详细讨论了本公开的实施例和其用途。然而,应当理解的是,实施例阐述了许多可以在各种各样的特定上下文中具体化的适用概念。应当理解,以下公开提供了实施各个实施例的不同特征的许多不同的实施例或实例。出于讨论的目的,下文描述了组件和布置的具体实例。当然,这些仅仅是实例并且不旨在是限制性的。

除非另有说明,否则包含如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“下部”、“上部”、“之上”、“之下”等术语的空间描述是关于对应附图中示出的朝向而使用的。应当理解,本文所使用的空间描述是出于说明的目的,并且本文所描述的结构的实际实施方案可以在空间上以任何朝向或方式布置,条件是此类布置不会使本公开的实施例的优点发生偏离。

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