[发明专利]一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法在审
| 申请号： | 202010936177.8 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112038240A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张军;叶晓飞;席亚莉;黄栋;史海林;孟彬;曹五星;李晔 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镀镍覆铜基板 及其 方法 | ||
1.一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，包括以下步骤，
步骤1，根据镀镍覆铜基板上元器件布局设计阻焊图形；
步骤2，依据阻焊图形对镀镍覆铜基板上相邻的元器件之间进行激光阻焊，在镍层(3)上产生热影响区，形成阻焊沟槽(5)。
2.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，步骤1中，采用成对阻焊沟槽(5)进行阻焊图形设计，相邻阻焊沟槽(5)的中心间距为20μm-50μm。
3.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，步骤2中，所述阻焊图形转换为平面坐标形式导入激光设备中，通过控制激光设备的激光参数进行激光阻焊。
4.根据权利要求3所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，步骤2中，所述激光参数包括脉冲电流、频率、步距和速度。
5.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，所述镀镍覆铜基板上镍层(3)的厚度不小于5μm。
6.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，所述阻焊沟槽(5)的宽度为20μm-50μm，深度为3μm-5μm。
7.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，所述阻焊沟槽(5)的截面为三角形。
8.根据权利要求1所述的一种镀镍覆铜基板阻焊方法，其特征在于，步骤2中，阻焊沟槽(5)形成后，对镀镍覆铜基板进行元器件贴装和回流焊，完成镀镍覆铜基板的制作。
9.一种镀镍覆铜基板，其特征在于，所述镀镍覆铜基板上设置有基于权利要求1-8任意一项所述的阻焊方法加工形成的阻焊沟槽(5)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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