[发明专利]一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法在审
申请号: | 202010936177.8 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112038240A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 张军;叶晓飞;席亚莉;黄栋;史海林;孟彬;曹五星;李晔 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 马贵香 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀镍覆铜基板 及其 方法 | ||
本发明一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法,阻焊方法包括以下步骤,步骤1,根据镀镍覆铜基板上元器件布局设计阻焊图形;步骤2,依据阻焊图形对镀镍覆铜基板上相邻的元器件之间进行激光阻焊,在镍层上产生热影响区,形成阻焊沟槽。通过对化学镀或电镀镍层上两个相邻的元器件之间采用激光刻蚀出指定宽度和深度的沟槽,激光在进行刻蚀过程中,沟槽的开口两端存在热影响区,在沟槽及热影响区内的镍层在高温下均被氧化,表现出对焊锡不浸润的现象,可以对刻蚀沟槽两侧的元器件起到阻焊效果,能够起到阻止两个相近元器件偏移、桥连的问题。
技术领域
本发明属于混合集成电路表贴器件组装技术领域,具体属于一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法。
背景技术
随着厚膜混合集成电路向高组装密度、高可靠、小型化的方向发展,电路内部焊接元器件间距越来越小,增加了高组装密度、小型化的设计难度,因此如何实现高组装密度及小型化就成为设计重点。
覆铜基板由于具有优良的电绝缘性能、高导热性能及大载流能力,被广泛应用于大功率电源模块中。目前厚膜基板上的元器件焊盘通过介质进行隔离,但是覆铜基板上的元器件焊盘之间无隔离层,间距较小易造成元器件之间形成共焊盘,在焊接过程中,由于熔融焊锡的表面张力作用,元器件容易出现桥连、偏移、旋转等现象,影响电源模块的可靠性。另外为了避免元器件共焊盘现象,通过放大元器件之间的间距,这样无形中降低了大功率电源模块的组装密度,增大了大功率电源模块的组装空间。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本发明提供一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法,通用性强,工艺简单,生产效率高,成本低廉,适合自动化生产,满足了混合集成电路高密度组装、高可靠、小型化的发展要求。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种镀镍覆铜基板阻焊方法,包括以下步骤,
步骤1,根据镀镍覆铜基板上元器件布局设计阻焊图形;
步骤2,依据阻焊图形对镀镍覆铜基板上相邻的元器件之间进行激光阻焊,在镍层上产生热影响区,形成阻焊沟槽。
优选的,步骤1中,采用成对阻焊沟槽进行阻焊图形设计,相邻阻焊沟槽的中心间距为20μm-50μm。
优选的,步骤2中,所述阻焊图形转换为平面坐标形式导入激光设备中,通过控制激光设备的激光参数进行激光阻焊。
进一步的,步骤2中,所述激光参数包括脉冲电流、频率、步距和速度。
优选的,所述镀镍覆铜基板上镍层的厚度不小于5μm。
优选的,所述阻焊沟槽的宽度为20μm-50μm,深度为3μm-5μm。
优选的,所述阻焊沟槽的截面为三角形。
优选的,步骤2中,阻焊沟槽形成后,对镀镍覆铜基板进行元器件贴装和回流焊,完成镀镍覆铜基板的制作。
一种镀镍覆铜基板,所述镀镍覆铜基板上设置有基于上述任意一项所述的阻焊方法加工形成的阻焊沟槽。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明提供一种镀镍覆铜基板阻焊方法,通过对化学镀或电镀镍层上两个相邻的元器件之间采用激光刻蚀出指定宽度和深度的沟槽,激光在进行刻蚀过程中,沟槽的开口两端存在热影响区,在沟槽及热影响区内的镍层在高温下均被氧化,表现出对焊锡不浸润的现象,可以对刻蚀沟槽两侧的元器件起到阻焊效果,能够起到阻止两个相近元器件偏移、桥连的问题。通过对镀镍覆铜基板表面近距离元器件之间进行了阻焊,解决了镀镍覆铜基板上近距离元器件的焊接工艺难题,为后续混合集成电路模块高密度组装奠定了基础。可以应用于各类陶瓷、不同厚度镀层的覆铜工艺下的阻焊,适用于不同类型的混合集成电路,工艺简单,生产效率高,成本低廉,适合自动化生产,应用前景非常广阔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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