[发明专利]微型发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202010936345.3 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112259646B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种微型发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长n型层、发光层与p型层，所述发光层的生长压力、所述n型层的生长压力、所述p型层的生长压力依次增加，
在所述发光层与所述p型层之间生长AlGaN电子阻挡层，且所述AlGaN电子阻挡层的生长压力低于所述发光层的生长压力，所述AlGaN电子阻挡层的生长压力为75～150Torr。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述p型层的生长压力比所述n型层的生长压力高100～300Torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述n型层的生长压力比所述发光层的生长压力高25～75Torr。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型层的生长压力、所述发光层的生长压力与所述p型层的生长压力为等比数列。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述p型层的生长压力为250～500Torr。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述发光层与所述p型层之间生长AlGaN电子阻挡层时，向反应腔内通入80～200sccm的Al源、1500～3000sccm的Ga源及100～200sccm的NH3源。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN电子阻挡层的生长时间为7～20min。
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