[发明专利]微型发光二极管外延片的制备方法

说明书

本公开公开了微型发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长n型层时，以较低的生长压力生长n型层，MO源可以充分反应得到质量较好的n型层。发光层的生长压力整体的生长压力相对n型层更低，发光层中的In原子也有足够的时间渗入发光层中，提高发光层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。p型层的生长压力高于n型层与发光层的生长压力，保证发光层的质量。p型层的生长压力大于n型层与发光层的生长压力还可以起到p型层快速生长。整体提供微型发光二极管的出光均匀度的同时也不会过度提高微型发光二极管的成本。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及微型发光二极管外延片的制备方法。

背景技术

LEDLight Emitting Diode，发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是LED不断追求的目标。

当前的微型发光二极管外延片通常包括衬底及在衬底上依次生长的n型层、发光层及p型层，当前的发光二极管能够满足一些场合的照明使用要求，但对一些要求较高的显示设备来说，当前的微型发光二极管的发光均匀度仍有待提高。

发明内容

本公开实施例提供了微型发光二极管外延片的制备方法，能够提高微型发光二极管的发光均匀度的同时控制微型发光二极管的成本。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种微型发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长n型层、发光层与p型层，所述发光层的生长压力、所述n型层的生长压力、所述p型层的生长压力依次增加。

可选地，所述p型层的生长压力比所述n型层的生长压力高100～300Torr。

可选地，所述n型层的生长压力比所述发光层的生长压力高25～75Torr。

可选地，所述n型层的生长压力、所述发光层的生长压力与所述p型层的生长压力为等比数列。

可选地，所述发光层的生长压力、所述n型层的生长压力为100～150Torr。

可选地，所述p型层的生长压力为250～500Torr。

可选地，所述制备方法还包括：

在所述发光层与所述p型层之间生长AlGaN电子阻挡层，且所述AlGaN电子阻挡层的生长压力低于所述发光层的生长压力。

可选地，所述AlGaN电子阻挡层的生长压力为75～150Torr。

可选地，在所述发光层与所述p型层之间生长AlGaN电子阻挡层时，向所述反应腔内通入80～200sccm的Al源、1500～3000sccm的Ga源及100～200sccm的NH₃源。

可选地，所述AlGaN电子阻挡层的生长时间为7～20min。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：