[发明专利]功率MOS驱动电路

权利要求书

1.一种功率MOS驱动电路，其特征在于，包括：第二NMOS晶体管(NM2)、第三NMOS晶体管(NM3)以及设置于所述第二NMOS晶体管(NM2)和所述第三NMOS晶体管(NM3)之间的钳位电路(3)，其中

所述第二NMOS晶体管(NM2)的源极和第三NMOS晶体管(NM3)的漏极相连，用于产生输出控制方波；以及

所述钳位电路(3)用于限制所述输出控制方波的高电平。

2.根据权利要求1所述的功率MOS驱动电路，其特征在于，还包括：电平转换电路(2)，其中所述第二NMOS晶体管(NM2)和所述第三NMOS晶体管(NM3)设置于所述电平转换电路(2)中，并且所述电平转换电路(2)用于将接收的输入控制方波转换成可以驱动功率MOS开关的输出控制方波。

3.根据权利要求2所述的功率MOS驱动电路，其特征在于，还包括：供电电路(1)，所述供电电路(1)与所述电平转换电路(2)连接，用于为所述电平转换电路(2)提供输入电压。

4.根据权利要求3所述的功率MOS驱动电路，其特征在于，还包括：为所述功率MOS驱动电路提供电压的电源(VCC)，并且所述供电电路(1)包括：限流电路(I_DC)、第一齐纳二极管(ZD1)、第一电容(C1)、第一NPN晶体管(NPN1)以及第二NPN晶体管(NPN2)，其中

所述限流电路(I_DC)的正端与所述电源(VCC)连接，并且所述限流电路(I_DC)的负端与所述第一齐纳二极管(ZD1)的阴极连接；

所述第一齐纳二极管(ZD1)的阴极与所述第一NPN晶体管(NPN1)的基极以及所述第二NPN晶体管(NPN2)的基极连接，并且所述第一齐纳二极管(ZD1)的阳极与地连接；

所述第一电容(C1)与所述第一齐纳二极管(ZD1)并联连接；

所述第一NPN晶体管(NPN1)的基极与所述第一齐纳二极管(ZD1)的阴极连接，所述第一NPN晶体管(NPN1)的集电极与所述电源(VCC)连接，并且所述第一NPN晶体管(NPN1)的发射极与所述电平转换电路(2)连接；以及

所述第二NPN晶体管(NPN2)的基极与所述第一齐纳二极管(ZD1)的阴极连接，所述第二NPN晶体管(NPN2)的集电极与所述电源(VCC)连接，以及所述第二NPN晶体管(NPN2)的发射极与所述电平转换电路(2)连接。

5.根据权利要求4所述的功率MOS驱动电路，其特征在于，所述电平转换电路(2)包括：电平转换器(21)，其中所述电平转换器(21)用于接收输入控制方波和所述第一NPN晶体管(NPN1)发射极的输入电压，将所述输入控制方波转换成和所述输入电压相匹配的高低电平，并且所述电平转换器(21)包括第一输入端(211)、第二输入端(212)、第一输出端(Q1)以及第二输出端(Q2)，其中

所述电平转换器(21)的第一输入端(211)与所述第一NPN晶体管(NPN1)的发射极连接，用于接收所述输入电压，并且所述电平转换器(21)的第二输入端(212)用于接收所述输入控制方波；以及

所述电平转换器(21)的第一输出端(Q1)和所述第二输出端(Q2)用于输出转换后的电平信号。