[发明专利]一种氧化铟锡薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

对基片进行预清洗处理，并对清洗后的基片进行烘干处理；其中，所述基片为陶瓷或玻璃；

将烘干后的基片放入真空腔内，在真空度为1*10^-6Torr、机台转速为20r/min的条件下，对靶进行预溅射5min，以清洗靶面；其中，靶以铟锡氧化物作为靶材；

控制真空腔的温度为120℃～150℃，在真空度为4.5*10^-1Pa～5.5*10^-1Pa、机台转速为20r/min的条件下，向真空腔内通入氩气和氧气，并对氧化铟锡靶材进行溅射，相应形成氧化铟锡薄膜；其中，氩气和氧气的体积比为20:1；

在退火温度为300℃的条件下，将获得的镀膜基片退火处理40min。

2.如权利要求1所述的氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述对基片进行预清洗处理，具体包括：

将基片放置在去离子水中浸泡15min；

将基片放置在丙酮中超声清洗20min；

将基片放置在乙醇中超声清洗10min；

将基片放置在去离子水中超声清洗15min～25min。

3.如权利要求1所述的氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，氩气和氧气的总气压为0.5Pa。

4.如权利要求1所述的氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，溅射电压为350V～400V。

5.如权利要求1所述的氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，溅射功率为800W～1200W。

6.如权利要求1～5任一项所述的氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述镀膜基片的厚度为0.1nm～0.25nm。