[发明专利]一种氧化铟锡薄膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种氧化铟锡薄膜的制备方法，包括：对基片进行预清洗处理，并对清洗后的基片进行烘干处理；其中，所述基片为陶瓷或玻璃；将烘干后的基片放入真空腔内，在真空度为1*10^‑6Torr、机台转速为20r/min的条件下，对靶进行预溅射5min，以清洗靶面；其中，靶以铟锡氧化物作为靶材；控制真空腔的温度为120℃～150℃，在真空度为4.5*10^‑1Pa～5.5*10^‑1Pa、机台转速为20r/min的条件下，向真空腔内通入氩气和氧气，并对氧化铟锡靶材进行溅射，相应形成氧化铟锡薄膜；其中，氩气和氧气的体积比为20:1；在退火温度为300℃的条件下，将获得的镀膜基片退火处理40min。采用本发明的技术方案能够制备出厚度均匀性较好且稳定性较好的ITO薄膜。

技术领域

本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种氧化铟锡薄膜的制备方法。

背景技术

氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜的制作过程是将一种材料(薄膜材料)转移到另一种材料(基板)的表面，形成和基板牢固结合的薄膜的过程。常用的ITO薄膜制备工艺有直流溅射或射频磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、喷射热分解和脉冲激光沉积等。目前，对TFT(Thin-Film Transistor)基板进行防静电的方法大多采用直流溅射镀膜或蒸发镀膜的方法在TFT基板上制备ITO薄膜，而采用直流溅射镀膜及蒸发镀膜所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较差，且ITO薄膜的性能稳定性较差。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种氧化铟锡薄膜的制备方法，能够制备出厚度均匀性较好且稳定性较好的ITO薄膜。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种氧化铟锡薄膜的制备方法，包括：

对基片进行预清洗处理，并对清洗后的基片进行烘干处理；其中，所述基片为陶瓷或玻璃；

将烘干后的基片放入真空腔内，在真空度为1*10^-6Torr、机台转速为20r/min的条件下，对靶进行预溅射5min，以清洗靶面；其中，靶以铟锡氧化物作为靶材；

控制真空腔的温度为120℃～150℃，在真空度为4.5*10^-1Pa～5.5*10^-1Pa、机台转速为20r/min的条件下，向真空腔内通入氩气和氧气，并对氧化铟锡靶材进行溅射，相应形成氧化铟锡薄膜；其中，氩气和氧气的体积比为20:1；

在退火温度为300℃的条件下，将获得的镀膜基片退火处理40min。

进一步地，所述对基片进行预清洗处理，具体包括：

将基片放置在去离子水中浸泡15min；

将基片放置在丙酮中超声清洗20min；

将基片放置在乙醇中超声清洗10min；

将基片放置在去离子水中超声清洗15min～25min。

进一步地，氩气和氧气的总气压为0.5Pa。

进一步地，溅射电压为350V～400V。

进一步地，溅射功率为800W～1200W。

进一步地，所述镀膜基片的厚度为0.1nm～0.25nm。