[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010938421.4 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242589A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良;杨晨曦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括栅切割区和位于所述栅切割区两侧的器件区，所述栅切割区和器件区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构顶部具有刻蚀掩膜层；
去除所述栅切割区和器件区上的栅极结构顶部的刻蚀掩膜层；
在所述栅切割区和器件区的基底上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；
形成覆盖所述介质层和所述栅极结构的硬掩模层；
刻蚀所述硬掩模层，直至暴露出所述栅切割区上的栅极结构的顶部；
去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层，在所述栅切割区上形成对应的分割沟槽，使得不同器件区上的栅极结构被所述分割沟槽分割。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构之后，还包括：在所述器件区的栅极结构两侧的基底上形成源漏掺杂层，并形成覆盖所述源漏掺杂层的保护层；形成所述介质层之后，所述介质层还覆盖所述保护层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构之后，还包括：在所述栅极结构的侧壁形成偏移侧墙；
形成所述介质层之后，所述介质层还覆盖所述偏移侧墙；
刻蚀所述硬掩模层，还暴露出所述栅切割区上的偏移侧墙的顶部；
去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层的过程中，还去除了所述栅切割区上的偏移侧墙。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述栅切割区上的偏移侧墙的方法，包括：采用一个以上的循环处理工艺去除所述栅切割区上的偏移侧墙；每个所述循环处理工艺包括材料改性处理工艺和材料改性处理工艺之后的刻蚀工艺。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料改性处理工艺为离子注入工艺。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺所注入的离子为H离子。
7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为等离子体干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，执行所述循环处理工艺的次数为10次～60次。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述硬掩模层之后，还包括：形成覆盖所述硬掩模层的覆盖层；
在刻蚀所述硬掩模层之前，还刻蚀了所述覆盖层。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为伪栅极结构或者金属栅极结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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