[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括栅切割区和位于所述栅切割区两侧的器件区，所述栅切割区和器件区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构顶部具有刻蚀掩膜层；去除所述栅切割区和器件区上的栅极结构顶部的刻蚀掩膜层；在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构；在所述栅切割区和器件区的基底上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；形成覆盖所述介质层和所述栅极结构的硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层，直至暴露出所述栅切割区上的栅极结构的顶部；去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层，在所述栅切割区上形成对应的分割沟槽，使得不同器件区上的栅极结构被所述分割沟槽分割。该方案可以提高所形成的半导体结构的质量。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件密度和集成度的提高，平面晶体管的特征尺寸也越来越小。

为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。鳍式场效应晶体管能够提高半导体器件的集成度，且鳍式场效应晶体管的栅极结构能够从鳍部的两侧控制晶体管的沟道，从而增加了栅极结构对晶体管沟道载流子的控制，有利于减少漏电流、改善短沟道效应。

但是，现有的半导体结构仍然存在着性能较差的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高所形成的半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：

提供基底，所述基底包括栅切割区和位于所述栅切割区两侧的器件区，所述栅切割区和器件区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构顶部具有刻蚀掩膜层；

去除所述栅切割区和器件区上的栅极结构顶部的刻蚀掩膜层；

在所述栅切割区和器件区的基底上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；

形成覆盖所述介质层和所述栅极结构的硬掩模层；

刻蚀所述硬掩模层，直至暴露出所述栅切割区上的栅极结构的顶部；

去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层，在所述栅切割区上形成对应的分割沟槽，使得不同器件区上的栅极结构被所述分割沟槽分割。

可选地，在形成所述硬掩模层之后，所述方法还包括：

形成覆盖所述硬掩模层上的覆盖层；

在刻蚀所述硬掩模层之前，还刻蚀了所述覆盖层。

可选地，在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构和位于所述栅极结构侧壁的偏移侧墙之后，所述方法还包括：在所述器件区的栅极结构和偏移侧墙两侧的基底上形成源漏掺杂层，并形成覆盖所述源漏掺杂层的保护层；

形成所述介质层之后，所述介质层还覆盖所述保护层。

可选地，在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构之后，还包括：在所述栅极结构的侧壁形成偏移侧墙；

形成所述介质层之后，所述介质层还覆盖所述偏移侧墙；

刻蚀所述硬掩模层，还暴露出所述栅切割区上的偏移侧墙的顶部；

去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层的过程中，还去除了所述栅切割区上的偏移侧墙。

可选地，去除所述栅切割区上的偏移侧墙的方法，包括：采用一个以上的循环处理工艺去除所述栅切割区上的偏移侧墙；每个所述循环处理工艺包括材料改性处理工艺和材料改性处理工艺之后的刻蚀工艺。