[发明专利]半导体封装件和使用半导体封装件的电子装置模块在审
| 申请号： | 202010940213.8 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112018072A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 金泰贤;金锡庆;韩奎范;金兑勋 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 曹志博;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 使用 电子 装置 模块 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
框架，包括通孔；
电子组件，设置在所述通孔中；
金属层，设置在所述框架的内表面和所述电子组件的上表面中的任意一个或两者上；
重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及
导电层，连接到所述金属层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述框架包括由绝缘材料形成的芯以及设置在所述芯的上表面和下表面中的任意一个或两者上的导体层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述导体层包括银、钯、铝、镍、钛、金、铜和铂中的任意一种或者两种或更多种的任意组合。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述框架包括过孔，所述过孔被构造为将所述导体层和所述重新分配部电连接，并且
所述过孔将所述金属层和所述导电层连接到接地电极。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层包括：第一金属层，设置在所述电子组件的上表面上；第二金属层，设置在所述框架的所述内表面上。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述金属层由铜、镍，或者包含铜和镍中的一种的合金形成。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层被构造为覆盖所述电子组件和所述框架的上部。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层连接设置在所述电子组件的所述上表面上的所述金属层和设置在所述框架中的导体层。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述导电层呈带状。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层由导电环氧树脂或焊料材料形成。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分配部包括由绝缘材料形成的绝缘层和设置在所述绝缘层中的布线层。
12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述绝缘层延伸到由形成在所述框架的所述内表面上的所述金属层和所述电子组件的外表面形成的空间。
13.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述导电环氧树脂为银环氧树脂。
14.一种半导体封装件，包括；
框架，包括通孔和设置在所述框架的内表面上的第一金属层；
电子组件，设置在所述通孔中；
重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及
第二金属层，被构造为覆盖所述电子组件的上表面和所述框架的上表面。
15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中，所述框架包括由绝缘材料形成的芯以及设置在所述芯的上表面和下表面中的任意一个或两者上的导体层。
16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述导体层包括银、钯、铝、镍、钛、金、铜和铂中的任意一种或者两种或更多种的任意组合。
17.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述框架包括过孔，所述过孔被构造为将所述导体层和所述重新分配部电连接，并且
所述过孔将所述第一金属层和所述第二金属层连接到接地电极。
18.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层由铜和镍中的一种或者包含铜和镍中的一种的合金形成。
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