[发明专利]滤波器组件及其制造方法、电子设备

说明书

本发明涉及一种滤波器组件及其制造方法，所述组件包括：基底；多个滤波器，其设置在所述基底上，所述多个滤波器包括在水平方向上彼此相邻设置的第一滤波器和第二滤波器，第一滤波器具有多个膜层形成的第一叠置结构，第二滤波器具有多个膜层形成的第二叠置结构，其中：第一叠置结构中的至少两个膜层的厚度不同于第二叠置结构中的对应膜层的厚度。本发明还涉及一种包括该组件的电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种滤波器组件及其制造方法，和一种电子设备。

背景技术

随着5G通信技术的日益发展，对通信频段的要求越来越高。传统的射频滤波器受结构和性能的限制，不能满足高频通信的要求。薄膜体声波谐振器(FBAR)作为一种新型的体声波谐振器，具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点，很好地适应了无线通信系统的更新换代，使FBAR技术成为通信领域的研究热点之一。

在现有设计中，在单个基底(wafer)上设置滤波器/谐振器的频率、机电耦合系数相对固定，这限制了在单个基底上集成多种频率和机电耦合系数的器件。

单个基底上的滤波器/谐振器的频率、机电耦合系数相对固定，虽然可以采用剥离工艺(lift-off工艺)以及刻蚀的方式增加、减小某些膜层的厚度来进行调节，但是这些工艺过程中一般需要采用有机光刻胶来形成特定的图形，这会造成一些界面的污染与缺陷，而给后续膜层的生长带来了不良的影响，尤其是底电极以及压电层，其生长的缺陷会导致谐振器的频率、机电耦合系数以及Q值的异常掉落，这限制了在单个基底上集成多种频率的器件。

另外，虽然通过频率调节层能够在小范围内调整谐振器、滤波器的频率，但调整范围有限。

此外，目前的技术一般针对于某个膜层，没有可以改变几个膜层或所有膜层的方式。

此外随着5G对滤波器频率要求越来越高，体声波谐振器的厚度方向上的薄膜厚度变得越来越薄，其横向尺寸亦变得越来越小，此时器件本身的尺寸不再是限制器件整体大小的主要因素，但是封装结构成为了限制器件尺寸的重要因素。图1A为双工器的结构示意图；图1B为TX滤波器的电路示意图；图1C为RX滤波器的电路示意图；图1D示例性示出了现有的TX滤波器的封装结构；图1E示例性示出了现有的RX滤波器的封装结构。在现有封装结构中，如图1D和1E所示，为了封装并保证密闭性及使用的可靠性，封装环10、划片道20、密封胶30，这些结构加起来的横向尺寸大于100微米，极大的增加了滤波器的面积。

从图1D和图1E可以看到，目前一般采用各个频率的器件分别封装后再集成在同一基底的方式进行集成，这会导致最终器件尺寸的增大。

发明内容

为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种滤波器组件，包括：

基底；

多个滤波器，其设置在所述基底上，所述多个滤波器包括在水平方向上彼此相邻设置的第一滤波器和第二滤波器，第一滤波器具有多个膜层形成的第一叠置结构，第二滤波器具有多个膜层形成的第二叠置结构，

其中：

第一叠置结构中的至少两个膜层的厚度不同于第二叠置结构中的对应膜层的厚度。

本发明的实施例还涉及一种滤波器组件的制造方法，所述滤波器组件至少包括第一滤波器和第二滤波器，所述方法包括步骤：

提供基底；

在基底上依次形成第一滤波器和第二滤波器的多个膜层，第一滤波器的多个膜层形成第一叠层结构，第二滤波器的多个膜层形成第二叠层结构，

其中：