[发明专利]半导体功率源和微波加热装置

权利要求书

1.一种半导体功率源，其特征在于，所述半导体功率源包括：

射频锁相环，所述射频锁相环用于产生预设频率的发射信号；

移相器，所述移相器用于调节所述发射信号的相位；

可调衰减器，所述可调衰减器用于调节所述发射信号的幅度；

真空电子管，所述真空电子管用于对所述发射信号进行功率放大。

2.根据权利要求1所述的半导体功率源，其特征在于，所述半导体功率源还包括输出耦合器、前向检测器和处理器，所述输出耦合器用于检测所述发射信号的输出能量值，所述前向检测器用于将所述输出能量值反馈至所述处理器。

3.根据权利要求2所述的半导体功率源，其特征在于，所述半导体功率源还包括反射耦合器和反向检测器，所述反向检测器用于检测所述发射信号的反射能量值，所述反向检测器用于将所述反射能量值反馈至所述处理器。

4.根据权利要求3所述的半导体功率源，其特征在于，所述处理器用于根据所述输出能量值和所述反射能量值生成控制信号；所述射频锁相环用于根据所述控制信号产生所述预设频率的所述发射信号；所述移相器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的幅度。

5.根据权利要求1所述的半导体功率源，其特征在于，所述真空电子管包括输入端和输出端，所述输入端与所述可调衰减器连接，所述输出端用于与天线连接。

6.一种微波加热装置，其特征在于，所述微波加热装置包括：

腔体；

半导体功率源，所述半导体功率源包括射频锁相环、移相器、可调衰减器和真空电子管；所述射频锁相环用于产生预设频率的发射信号；所述移相器用于调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于调节所述发射信号的幅度；所述真空电子管用于对所述发射信号进行功率放大；

天线，所述天线用于将所述发射信号转换为微波信号并输出至所述腔体中。

7.根据权利要求6所述的微波加热装置，其特征在于，所述半导体功率源还包括输出耦合器、前向检测器和处理器，所述输出耦合器用于检测所述发射信号的输出能量值，所述前向检测器用于将所述输出能量值反馈至所述处理器。

8.根据权利要求7所述的微波加热装置，其特征在于，所述半导体功率源还包括反射耦合器和反向检测器，所述反向检测器用于检测所述发射信号的反射能量值，所述反向检测器用于将所述反射能量值反馈至所述处理器。

9.根据权利要求8所述的微波加热装置，其特征在于，所述处理器用于根据所述输出能量值和所述反射能量值生成控制信号；所述射频锁相环用于根据所述控制信号产生所述预设频率的所述发射信号；所述移相器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的幅度。

10.根据权利要求6所述的微波加热装置，其特征在于，所述真空电子管包括输入端和输出端，所述输入端与所述可调衰减器连接，所述输出端用于与天线连接。