[发明专利]半导体功率源和微波加热装置

说明书

本申请公开了一种半导体功率源和微波加热装置。半导体功率源包括射频锁相环、移相器、可调衰减器和电子真空管。所述射频锁相环用于产生预设频率的发射信号；所述移相器用于调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于调节所述发射信号的幅度；所述真空电子管用于对发射信号进行功率放大。如此，利用真空电子管的输出功率高、效率高的特性，半导体功率源能够输出较高功率的发射信号，从而提高半导体功率源的工作效率。

技术领域

本申请涉及微波设备领域，特别涉及一种半导体功率源和微波加热装置。

背景技术

在相关技术中，半导体微波炉以半导体功率源作为能量源，可以产生300-500W左右的功率的微波能量进行加热，其中，半导体功率源的功率较低，导致半导体功率源的工作效率比较低。

发明内容

本申请提供了一种半导体功率源和微波加热装置。

本申请实施方式的半导体功率源包括：射频锁相环、移相器、可调衰减器和真空电子管，所述射频锁相环用于产生预设频率的发射信号；所述移相器用于调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于调节所述发射信号的幅度；所述真空电子管用于对所述发射信号进行功率放大。

在某些实施方式中，所述半导体功率源还包括输出耦合器、前向检测器和处理器，所述输出耦合器用于检测所述发射信号的输出能量值，所述前向检测器用于将所述输出能量值反馈至所述处理器。

在某些实施方式中，所述半导体功率源还包括反射耦合器和反向检测器，所述反向检测器用于检测所述发射信号的反射能量值，所述反向检测器用于将所述反射能量值反馈至所述处理器。

在某些实施方式中，所述处理器用于根据所述输出能量值和所述反射能量值生成控制信号；所述射频锁相环用于根据所述控制信号产生所述预设频率的所述发射信号；所述移相器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的幅度。

在某些实施方式中，所述真空电子管包括输入端和输出端，所述输入端与所述可调衰减器连接，所述输出端用于与天线连接。

本申请还提供了一种微波加热装置，微波加热装置包括腔体、半导体功率源和天线。所述半导体功率源包括射频锁相环、移相器、可调衰减器和真空电子管；所述射频锁相环用于产生预设频率的发射信号；所述移相器用于调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于调节所述发射信号的幅度；所述真空电子管用于对所述发射信号进行功率放大；所述天线用于将所述发射信号转换为微波信号并输出至所述腔体中。

在某些实施方式中，所述微波加热装置的半导体功率源还包括输出耦合器、前向检测器和处理器，所述输出耦合器用于检测所述发射信号的输出能量值，所述前向检测器用于将所述输出能量值反馈至所述处理器。

在某些实施方式中，所述微波加热装置的半导体功率源还包括反射耦合器和反向检测器，所述反向检测器用于检测所述发射信号的反射能量值，所述反向检测器用于将所述反射能量值反馈至所述处理器。

在某些实施方式中，所述微波加热装置的处理器用于根据所述输出能量值和所述反射能量值生成控制信号；所述射频锁相环用于根据所述控制信号产生所述预设频率的所述发射信号；所述移相器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的相位；所述可调衰减器用于根据所述控制信号调节所述发射信号的幅度。

在某些实施方式中，所述微波加热装置的真空电子管包括输入端和输出端，所述输入端与所述可调衰减器连接，所述输出端用于与天线连接。

本申请实施方式的半导体功率源和微波加热装置中，采用了真空电子管进行功率放大，由于真空电子管的输出功率高、效率高，因此，半导体功率源能够输出较高功率的发射信号，从而提高半导体功率源的工作效率。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。