[发明专利]存储单元、存储器件及电子设备在审
| 申请号： | 202010944026.7 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111900168A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;G11C11/407 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李永叶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 器件 电子设备 | ||
1.一种存储单元，包括：
晶体管；以及
与该晶体管连接的电容组件，
该电容组件包括彼此串联连接的正电容器以及负电容器；
其中，电容组件形成为沟槽电容器，该沟槽的形状为U型，包括两个竖直侧壁和连接竖直侧壁的底壁；
电容组件包括第一导电层-电介质层-第二导电层-负电容材料层-第三导电层的叠层；并且各个导电层包括金属电极材料层。
2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述负电容材料层的材料为含Zr、Ba或Sr的材料。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述负电容材料层的材料包括以下一种：HfZrO2、BaTiO3、KH2PO4或NBT。
4.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述负电容器的电容绝对值大于或等于正电容器的电容值。
5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述电容组件形成在所述晶体管所形成于的衬底上，且第一导电层或第三导电层包括衬底中的掺杂区域。
6.根据权利要求5所述的存储单元，其中，所述掺杂区域与晶体管的源/漏区之一相连，从而将电容组件连接到晶体管。
7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第二导电层包括导电性的扩散阻挡材料层。
8.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一导电层和所述第三导电层中至少之一包括导电性的扩散阻挡材料层与金属电极材料层的叠层。
9.根据权利要求7或8所述的存储单元，其中，所述导电性的扩散阻挡材料层包括TiN。
10.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述金属电极材料层包括W。
11.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述电容组件形成于晶体管上方的金属化叠层中。
12.根据权利要求11所述的存储单元，其中，靠近下层的第一导电层或第三导电层包括导电性扩散阻挡材料层-金属电极材料层-导电性扩散材料层的叠层。
13.一种存储器件，包括多个如权利要求1-12中任一项所述的存储单元。
14.一种电子设备，包括如权利要求13所述的存储器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
