[发明专利]存储单元、存储器件及电子设备

说明书

公开了一种存储单元、存储器件及电子设备。根据实施例，存储单元可以包括：晶体管；以及与该晶体管连接的电容组件，其中，该电容组件包括彼此串联连接的正电容器以及负电容器。电容组件形成为沟槽电容器，该沟槽的形状为U型，包括两个竖直侧壁和连接竖直侧壁的底壁；电容组件包括第一导电层‑电介质层‑第二导电层‑负电容材料层‑第三导电层的叠层；并且各个导电层包括金属电极材料层。

本案是申请号为“201610048641.3”、申请日为2016年01月25日、发明名称为“存储单元、存储器件及电子设备”的母案申请的分案申请，通过引用将母案的全部内容包括于此。

技术领域

本公开涉及存储领域，更具体地，涉及一种具有大存储电容的存储单元、包括该存储单元的存储器件以及包括该存储器件的电子设备。

背景技术

在存储器件中经常利用电容器来储存电荷，以便存储数据。但是，随着器件的不断小型化，用来形成电容器的芯片面积不断缩小，从而电容器的电容值变小。为了确保存储性能，期望在不占用过大芯片面积的情况下，得到尽可能大的电容。

发明内容

本公开的目的至少部分地在于提供一种具有大存储电容的存储单元、包括该存储单元的存储器件以及包括该存储器件的电子设备。

根据本公开的一个方面，提供了一种存储单元，包括：晶体管；以及与该晶体管连接的电容组件，其中，该电容组件包括彼此串联连接的正电容器以及负电容器。

根据本公开的另一方面，提供了一种存储器件，包括上述存储单元。

根据本公开的再一方面，提供了一种电子设备，包括上述存储器件。

根据本公开的实施例，利用负电容器和常规电容器(或者说，正电容器)的串联组合来形成存储电容组件。与常规存储电容相比，在相同的占用面积下，这种电容组件可以实现大的存储电容。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是示出了根据本公开实施例的存储单元的示意电路图；

图2(a)-2(g)是示出了根据本公开实施例的制造存储单元的流程中部分阶段的截面图；

图3是示出了根据本公开另一实施例的存储单元的配置的截面图；

图4(a)-4(d)是示出了根据本公开另一实施例的制造存储单元的流程中部分阶段的截面图；

图5是示出了根据本公开另一实施例的存储单元的配置的截面图。

贯穿附图，以相同的附图标记来表示相同或相似的部件。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

图1是示出了根据本公开实施例的存储单元的示意电路图。