[发明专利]用于集成电路封装的面板状金属墙格阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种用于面板级集成电路(IC)封装的面板状金属墙格阵列，包括：

多个金属墙格构成的阵列，其特征在于每个金属墙格具有连续且封闭的金属围墙，所述金属围墙具有设定的围墙高度。

2.如权利要求1所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，该多个金属墙格通过多个金属连接部连接成整体面板状，其中的每个金属墙格通过所述多个金属连接部中的至少一个同与其相邻的其它金属墙格中的至少一个金属墙格连接。

3.如权利要求1所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，每个金属墙格为矩形墙格，其金属围墙由四条金属边墙围成，每个金属墙格的至少两条金属边墙通过金属连接部同与其相邻的其它金属墙格连接。

4.如权利要求1所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，每两个相邻的金属墙格之间相互连接。

5.如权利要求4所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，每两个相邻的金属墙格之间通过至少一个金属连接部相互连接。

6.如权利要求1所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，所述面板状金属墙格阵列为M行乘N列的阵列，M和N均为大于等于1的正整数。

7.如权利要求6所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，对于所述金属墙格阵列中的每一行，相邻的每两个金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接，在相邻的每两行金属墙格中选择其中的至少两列，该至少两列中的每一列金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接。

8.如权利要求6所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，对于所述金属墙格阵列中的每一列，相邻的每两个金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接，在相邻的每两列金属墙格中选择其中的至少两行，该至少两行中的每一行金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接。

9.如权利要求6所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，每个金属墙格为矩形墙格，其金属围墙由四条金属边墙围成，每个金属墙格的至少两条金属边墙通过金属连接部同与其相邻的其它金属墙格连接。

10.如权利要求2至5和7至9其中之一所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，每个金属连接部具有设定的连接部高度，所述设定的连接部高度小于所述设定的围墙高度。

11.如权利要求10所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，所述设定的连接部高度是所述设定的围墙高度的1/2或1/4。

12.如权利要求1至9其中之一所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，相邻的每两个金属墙格的相邻的金属围墙之间具有切割道。

13.如权利要求12所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，所述切割道具有设定的宽度。

14.如权利要求12所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于,将其用于所述面板级IC封装时，在每个金属墙格中放置至少一个集成电路芯片/晶片，每个集成电路芯片/晶片具有正面以及与该正面相对的背面，并且每个金属墙格中的所述至少一个集成电路芯片/晶片均正面朝下放置。

15.如权利要求14所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，所述面板状金属墙格阵列的整个背面侧制作有与该面板状的金属墙格阵列相对应的板状金属层，该板状金属层与每个金属墙格的金属围墙连接，所述金属墙格阵列的整个背面侧指集成电路芯片/晶片的背面所朝向的那一侧。

16.如权利要求15所述的面板状金属墙格阵列，其特征在于，采用包封材料层填充各金属墙格，该包封材料层覆盖并包裹各金属墙格中的集成电路芯片/晶片。