[发明专利]用于集成电路封装的面板状金属墙格阵列及其制造方法

说明书

提出了一种用于面板级集成电路(IC)封装的面板状金属墙格阵列及其制作方法。该面板状金属墙格阵列中每个金属墙格具有连续且封闭的金属围墙，其具有设定的围墙高度。该多个金属墙格通过多个金属连接部连接成整体面板状，每个金属墙格通过该多个金属连接部中的至少一个同与其相邻的其它金属墙格中的至少一个连接。采用该面板状金属墙格阵列进行面板级IC封装时，可以批量将多个集成电路芯片/晶片放置进该金属墙格阵列中，每个金属墙格中可以放置至少一个IC芯片/晶片，该面板状金属墙格阵列的整个背面侧制作板状金属层。如此可以在提升封装效率的同时改善对IC芯片/晶片的EMI保护性能和/或散热性能。

技术领域

本公开的实施例涉及集成电路，特别地，涉及用于集成电路芯片的封装结构及封装方法。

背景技术

在集成电路产品或者系统电路板上以更小的尺寸集成更多集成电路芯片和电路元件(即提高集成度)成为集成电路发展的重要趋势。集成电路芯片通常被封装成可焊接/安装/插接在系统电路板上的形式，封装好的集成电路芯片具有输入/输出(I/O)引脚或焊料凸起以允许集成电路芯片与外部电路进行电气连接和信号交换。为了进一步提高集成度，期望将集成电路芯片封装尺寸进一步缩小，目前可采用集成电路芯片的面板级封装技术。然而随着集成度的不断提升，封装后的集成电路芯片的抗电磁干扰(EMI)性能和/或散热性能也变得尤为重要。

发明内容

本公开的一个实施例提出了一种用于面板级集成电路(IC)封装的面板状金属墙格阵列，包括：多个金属墙格构成的阵列，其特征在于每个金属墙格具有连续且封闭的金属围墙，所述金属围墙具有设定的围墙高度。

根据本公开的一个实施例，该多个金属墙格通过多个金属连接部连接成整体面板状，其中的每个金属墙格通过所述多个金属连接部中的至少一个同与其相邻的其它金属墙格中的至少一个金属墙格连接。

根据本公开的一个实施例，每个金属墙格为矩形墙格，其金属围墙由四条金属边墙围成，每个金属墙格的至少两条金属边墙(例如该至少两条金属边墙中的每一个金属边墙通过至少一个金属连接部)通过金属连接部同与其相邻的其它金属墙格连接。

根据本公开的一个实施例，每两个相邻的金属墙格之间相互连接。在一个实施例中，每两个相邻的金属墙格之间通过至少一个金属连接部相互连接。

根据本公开的一个实施例，所述面板状金属墙格阵列为M行乘N列的阵列，M和N均为大于等于1的正整数。

根据本公开的一个实施例，对于所述M行乘N列的金属墙格阵列中的每一行，相邻的每两个金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接，在相邻的每两行金属墙格中选择其中的至少两列，该至少两列中的每一列金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接。

根据本公开的一个实施例，对于所述M行乘N列的金属墙格阵列中的每一列，相邻的每两个金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接，在相邻的每两列金属墙格中选择其中的至少两行，该至少两行中的每一行金属墙格之间通过至少一个金属连接部连接。

根据本公开的一个实施例，每个金属墙格为矩形墙格，其金属围墙由四条金属边墙围成，每个金属墙格的至少两条金属边墙通过金属连接部同与其相邻的其它金属墙格连接。例如，该至少两条金属边墙中的每一条金属边墙通过至少一个金属连接部同与其相邻的其它金属墙格连接。

根据本公开的一个实施例，每个金属连接部具有设定的连接部高度，所述设定的连接部高度小于所述设定的围墙高度。

根据本公开的一个实施例，所述设定的连接部高度是所述设定的围墙高度的1/2或1/4。

根据本公开的一个实施例，相邻的每两个金属墙格的相邻的金属围墙之间具有切割道，该切割道具有设定的宽度。