[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法在审
申请号: | 202010947256.9 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN114171424A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 陈信宏;黄焱誊 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;刘芳 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 控制系统 控制 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀控制系统,其特征在于,包括:液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、控制单元;
所述液位检测单元,用于检测漏液收集槽中漏液的液位;
所述刻蚀剂喷射单元,用于将刻蚀剂喷射在晶圆表面;
所述清洗剂喷射单元,用于将清洗剂喷射在晶圆表面;
所述控制单元,用于当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时,控制所述刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂,并控制所述清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,还包括:
用于向晶圆表面吹风的供风单元;
所述控制单元还用于:当所述清洗剂喷射单元停止喷射清洗剂时,控制所述供风单元向晶圆表面吹风。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,所述控制单元还用于:当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时,控制湿法刻蚀机整机停机;其中,所述第二预设值大于所述第一预设值。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,还包括:
报警单元,用于发出报警信号;
所述控制单元还用于:当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时,控制所述报警单元发出第一报警信号。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,所述控制单元还用于:当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时,控制所述报警单元发出第二报警信号。
6.根据权利要求4所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,所述报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
7.根据权利要求1-6任一项所述的湿法刻蚀控制系统,其特征在于,还包括:
PH值检测单元,用于检测所述漏液收集槽中漏液的PH值;
所述控制单元还用于:根据所述PH值检测单元检测到的PH值,控制所述漏液收集槽中的漏液排放到相适配的废液罐。
8.一种湿法刻蚀机,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的湿法刻蚀控制系统。
9.一种湿法刻蚀控制方法,其特征在于,包括:
检测漏液收集槽中漏液的液位;
当所述漏液的液位大于第一预设值时,控制停止向晶圆喷射刻蚀剂,并控制向晶圆喷射清洗剂。
10.根据权利要求9所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,还包括:
当停止向晶圆喷射清洗剂时,控制向晶圆吹风。
11.根据权利要求9所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,当所述漏液的液位大于第二预设值时,控制湿法刻蚀机整机停机;其中,所述第二预设值大于所述第一预设值。
12.根据权利要求11所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,还包括:
当所述漏液的液位大于第一预设值时,控制报警单元发出第一报警信号。
13.根据权利要求12所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,还包括:
当所述漏液的液位大于第二预设值时,控制所述报警单元发出第二报警信号。
14.根据权利要求13所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,所述第一报警信号和/或所述第二报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
15.根据权利要求9-14任一项所述的湿法刻蚀控制方法,其特征在于,
检测所述漏液收集槽中漏液的PH值;
根据检测到的漏液的PH值,控制所述漏液收集槽中的漏液排放到相适配的废液罐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造