[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法

说明书

本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元。湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种用于晶圆的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法。

背景技术

湿法刻蚀是用化学方法有选择地从晶圆表面去除不需要材料的制备方法，广泛应用在半导体制造行业中。湿法刻蚀包括批量式湿法刻蚀和单片式湿法刻蚀，批量式湿法刻蚀通常可以对多片晶圆进行刻蚀，单片式湿法刻蚀则一次仅对一片晶圆进行刻蚀，由于批量式湿法刻蚀制备的晶圆无法满足更小线宽的要求，例如22nm级别的要求，正在逐渐退出历史舞台，而单片式湿法刻蚀因可以满足更小线宽的要求，而逐渐成为主流的制造工艺。

相关技术中的一种单片式湿法刻蚀机，包括蚀刻室和废液收集系统。晶圆在蚀刻室内被刻蚀剂刻蚀，刻蚀晶圆后的刻蚀剂形成废液，废液通过废液收集系统收集。其中，当废液收集系统泄露废液的时候，单片式湿法刻蚀机会整机停机，防止强腐蚀性的废液一直泄露，提升单片式湿法刻蚀机的使用安全性。

然而，当单片式湿法刻蚀机由于废液泄露整机停止时，在晶圆表面上依旧粘附有刻蚀剂，这些刻蚀剂长时间停留在晶圆表面，容易导致晶圆表面的蚀刻深度过大，导致成品的合格率降低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，以解决晶圆的合格率降低的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种湿法刻蚀控制系统，其包括：液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、控制单元；

液位检测单元，用于检测漏液收集槽中漏液的液位；

刻蚀剂喷射单元，用于将刻蚀剂喷射在晶圆表面；

清洗剂喷射单元，用于将清洗剂喷射在晶圆表面；

控制单元，用于当液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂。

与现有技术相比，本发明提供的湿法刻蚀控制系统具有如下优点：

在本发明实施例提供的湿法刻蚀控制系统中，通过液位检测单元检测漏液收集槽中漏液的液位，并当检测到的漏液的液位高度大于第一预设值时，采用控制单元控制控制刻蚀剂喷射单元停止喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元喷射清洗剂，从而在发现漏液收集槽中的漏液的液位高度大于第一预设值时，先对待刻蚀晶圆的表面进行清洗，有效避免待刻蚀晶圆表面的刻蚀剂滞留在晶圆表面的时间超过设计的刻蚀时间，晶圆表面的刻蚀深度也就不会超过设计深度，晶圆可以在排除故障后继续进行后续工艺流程，从而可以提升成品的合格率，降低制造成本。

在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制系统还包括：

用于向晶圆表面吹风的供风单元；

控制单元还用于：当清洗剂喷射单元停止喷射清洗剂时，控制供风单元向晶圆表面吹风。

在一些可能的实施方式中，控制单元还用于：当液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制湿法刻蚀机整机停机；其中，第二预设值大于第一预设值。