[发明专利]一种靶材装置及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种靶材装置，其特征在于，包括

背板；

若干个靶材，设于所述背板的一面，相邻两个靶材之间具有相对且交叉设置的侧面，这两个相对且交叉设置的侧面之间形成有拼接缝隙；其中所述拼接缝隙远离所述背板的一侧具有缝隙口，所述缝隙口朝向所述背板上的正向投影落入这两个相对且交叉设置的侧面之一。

2.根据权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，还包括

保护层，设于所述背板对应所述拼接缝隙的位置。

3.根据权利要求2所述的靶材装置，其特征在于，所述保护层的材料采用聚四氟乙烯、特氟龙、聚酰亚胺中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的靶材装置，其特征在于，所述保护层的宽度等于或小于所述拼接缝隙的宽度，所述拼接缝隙宽度范围为0.1mm-1mm。

5.根据权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，所述拼接缝隙沿所述缝隙口的延伸方向与所述背板的夹角小于90°。

6.根据权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，相对且交叉设置的侧面包括第一侧面和第二侧面，均为斜面，其中所述第一侧面朝向所述第二侧面且位于所述第二侧面的上方。

7.根据权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，还包括

结合件，设于所述背板对应所述拼接缝隙位置以外的位置，用以将若干个靶材和背板结合，所述结合件的材料采用铟。

8.根据权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，所述各靶材包含氧化物半导体。

9.一种制备方法，用以制备如权利要求1所述的靶材装置，其特征在于，包括以下步骤：

制备背板；

制备若干个靶材，相邻两个靶材之间具有相对且交叉设置的侧面，这两个相对且交叉设置的侧面之间形成有拼接缝隙；其中所述拼接缝隙远离所述背板的一侧具有缝隙口，所述缝隙口朝向所述背板上的正向投影落入这两个相对且交叉设置的侧面之一；

将所述靶材绑定于所述背板的一面。

10.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具有通过对权利要求1-8任一项所述的靶材装置进行溅射而形成沟道层的工序。