[发明专利]一种靶材装置及其制备方法、应用

说明书

本申请公开了一种靶材装置及其制备方法、应用，靶材装置包括背板；若干个靶材，设于所述背板的一面，相邻两个靶材之间具有相对且交叉设置的侧面，这两个相对且交叉设置的侧面之间形成有拼接缝隙；其中所述拼接缝隙远离所述背板的一侧具有缝隙口，所述缝隙口朝向所述背板上的正向投影落入这两个相对且交叉设置的侧面之一。这样的设置方式使得在溅射前期，等离子体轰击不到背板上对应拼接缝隙的位置，避免了背板上的材质被溅射出来，保证了沉积的膜层不被杂质污染，提高产品器件特性。

技术领域

本申请涉及显示面板领域，尤其地涉及一种靶材装置及其制备方法、应用。

背景技术

一直以来，将氧化物半导体用作沟道层的薄膜晶体管被人们所关注。氧化物半导体膜具有高迁移率并且可见光的透过性高，因此被用于液晶显示装置等用途。作为氧化物半导体膜，例如已知包含InGaZnOx(以下称为“IGZO”)的氧化物半导体膜，该InGaZnOx是以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主要成分的氧化物半导体。

近年来，液晶显示装置等显示面板的大型化不断发展，随之，靶材也需要大型化。但是，一般难以形成大型的靶材。于是提出了多个靶材平板状地设置于支承件上的分割型的溅射靶，根据这样的结构，通过增加靶材的个数，能够应对溅射靶的大型化。

在分割型的溅射靶中，一般为了防止靶材的破裂等，在相互相邻的靶材彼此间的接缝处稍微设置有间隙，在与靶材的接缝对应的位置和与该接缝对应的位置以外的位置形成膜质相互不同的膜。如果沉积的膜层的是IGZO半导体层，背板材料从靶材接缝处被溅射出来，导致IGZO膜质异常，影响TFT器件特性及显示效果。

现有技术中应对的方法为在靶材接缝处，放置一层溅射产额低的高分子材料，降低膜层被污染的风险。请参阅图1，图1为现有技术中提供的靶材装置100的结构示意图，靶材装置100包括彼此包含相同的材料的多个靶材10、支撑多个靶材的背板20和将多个靶材和背板结合的结合件30以及若干冷却管道60，相互相邻的靶材彼此间有拼接缝隙40，在背板对应拼接缝隙的位置设有一层保护层50，降低膜层被污染的风险。但此方法并不能完全杜绝膜层污染，且随着溅射时间增加，保护层50存在失效风险。

因此，确有必要来开发一种新型的靶材装置，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种靶材装置，其能够解决现有与靶材的拼接缝隙对应的位置的膜质异常的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种靶材装置，包括背板；若干个靶材，设于所述背板的一面，相邻两个靶材之间具有相对且交叉设置的侧面，这两个相对且交叉设置的侧面之间形成有拼接缝隙；其中所述拼接缝隙远离所述背板的一侧具有缝隙口，所述缝隙口朝向所述背板上的正向投影落入这两个相对且交叉设置的侧面之一。

使得在溅射前期，等离子体轰击不到背板上对应拼接缝隙的位置，避免了背板上的材质被溅射出来，保证了沉积的膜层不被杂质污染，提高产品器件特性。

进一步的，在其他实施方式中，其中还包括保护层，设于所述背板对应所述拼接缝隙的位置。使得在溅射后期，等离子体轰击到背板上对应拼接缝隙的位置时，保护层起到保护背板的作用。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述保护层的材料采用聚四氟乙烯、特氟龙、聚酰亚胺中的一种或几种。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述保护层的宽度等于或小于所述拼接缝隙的宽度，所述拼接缝隙宽度范围为0.1mm-1mm。所述拼接缝隙宽度根据靶材尺寸和靶材材料的热膨胀系数来确定，靶材尺寸越大则所述拼接缝隙宽度越大，靶材材料的热膨胀系数越大则所述拼接缝隙宽度越大。