[发明专利]一种存储器的数据读写方法及相关设备

说明书

本申请提供了一种存储器的数据读写方法及相关设备，可将NandFlash容量利用最大化，同时可以容纳更多ECC冗余数据，提升纠错能力，增强NandFlash数据稳定性。该方法包括：获取针对于存储器的读取指令或写入指令，所述读取指令或所述写入指令与目标数据相对应；确定所述存储器的坏列位置信息，所述存储器的坏列位置信息指示所述存储器中的比特坏列的位置信息；响应所述读取指令或所述写入指令，根据所述坏列位置信息对所述目标数据进行读取操作或写入操作。

技术领域

本申请涉及存储领域，尤其涉及一种存储器的数据读写方法及相关设备。

背景技术

Nand-Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

NandFlash物理特性上使得其数据读写过程中会发生一定几率的错误，所以要有个对应的错误检测和纠正的机制，于是才有此ECC(Error Correcting Code的简写，ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术)，用于数据错误的检测与纠正。如果NandFlash中坏列数量超过纠错算法的纠错能力，则通过增大ECC纠错能力来进行纠错。

但是如果增加ECC纠错能力来进行纠错，会导致ECC模块的复杂度急剧增加，不仅会造成ECC模块频率更慢，而且会明显增大芯片面积。需要更多额外的容量保存冗余数据，而NandFlash一个页的长度是固定的，无法随意增加。

发明内容

本申请提供了一种存储器的数据读写方法及相关设备，可将NandFlash容量利用最大化，同时可以容纳更多ECC冗余数据，提升纠错能力，增强NandFlash数据稳定性。

本申请第一方面提供了一种存储器的数据读写方法，包括：

获取针对于存储器的读取指令或写入指令，所述读取指令或所述写入指令与目标数据相对应；

确定所述存储器的坏列位置信息，所述存储器的坏列位置信息指示所述存储器中的比特坏列的位置信息；

响应所述读取指令或所述写入指令，根据所述坏列位置信息对所述目标数据进行读取操作或写入操作。

可选地，所述确定所述存储器的坏列位置信息包括：

将测试数据写入所述存储器；

对所述存储器进行数据读取，得到第一数据；

将所述第一数据与所述测试数据进行对比，以确定出所述存储器中每个页的比特坏列位置；

将目标比特位置对应的位置信息确定为所述存储器的坏列位置信息，所述目标比特位置为所述存储器中多个页中比特坏列位置相同的比特位置。

可选地，所述方法还包括：

根据所述坏列位置信息确定所述存储器的字节坏列集合以及所述字节坏列集合中每个字节坏列对应的比特坏列；

根据所述存储器的字节坏列集合生成所述存储器对应的字节坏列模板；

根据所述字节坏列集合中每个字节坏列对应的比特坏列生成所述存储器对应的比特坏列模板。

可选地，所述响应所述写入指令，根据所述坏列位置信息将所述目标数据进行写入操作包括：

检索所述字节坏列模板确定所述存储器中的字节坏列集合；

检索所述比特坏列模板确定所述字节坏列集合中每个字节坏列对应的第一比特坏列；

将所述第一比特坏列插入无效数据，得到第二比特坏列；