[发明专利]Micro-LED芯片的转移方法在审
| 申请号： | 202010947974.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071795A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陆骅俊 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/67;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | micro led 芯片 转移 方法 | ||
1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述Micro-LED芯片的转移方法包括以下步骤：
提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；
提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro-LED芯片，多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极对应设置；
将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合；
去除所述第二基板。
2.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，在所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”之前，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括：
采用吸附技术，将多个所述第一Micro-LED芯片置于多个所述第一电极上。
3.如权利要求2所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述吸附技术为真空吸附、静电力吸附、范德华力吸附、磁力吸附或自组装吸附。
4.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”具体为：
采用倒装芯片焊技术将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合。
5.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一基板为阵列基板。
6.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一电极为铜垫。
7.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，多个所述第一电极和多个所述第一Micro-LED芯片均呈阵列状排布。
8.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一基板上还设有多个第二电极；
在所述步骤“去除所述第二基板”之后，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括以下步骤：
提供第三基板，所述第三基板上设有多个第二Micro-LED芯片，多个所述第二Micro-LED芯片与多个所述第二电极对应设置；
将多个所述第二Micro-LED芯片与多个所述第二电极进行键合；
去除所述第三基板。
9.如权利要求8所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一基板上还设有多个第三电极；
在所述步骤“去除所述第三基板”之后，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括以下步骤：
提供第四基板，所述第四基板上设有多个第三Micro-LED芯片，多个所述第三Micro-LED芯片与多个所述第三电极对应设置；
将多个所述第三Micro-LED芯片与多个所述第三电极进行键合；
去除所述第四基板。
10.如权利要求9所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，多个所述第一Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，多个所述第二Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，多个所述第三Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，所述第一Micro-LED芯片、所述第二Micro-LED芯片和所述第三Micro-LED芯片发出的光的颜色不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
