[发明专利]Micro-LED芯片的转移方法

说明书

本发明提供一种Micro‑LED芯片的转移方法，所述Micro‑LED芯片的转移方法包括以下步骤：提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro‑LED芯片，多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极对应设置；将多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极进行键合；去除所述第二基板。本发明的Micro‑LED芯片的转移方法，提高了第一Micro‑LED芯片的转移效率和转移精度，从而提高了最终制造得到的Micro‑LED显示器的生产周期和良率，节省了Micro‑LED显示器的制造成本，使其适于量产。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的转移方法。

背景技术

微米级发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)显示器是一种以Micro-LED芯片作为像素点的自发光显示器，因其具有高亮度、高发光效率和低功耗等优点，逐渐成为了业界发展的新标杆。

Micro-LED显示器在制造的过程中，通常采用巨量转移技术将巨量的Micro-LED芯片转移至基板上，其中，巨量用以表示数量巨多，例如成千上万乃至更多。但现有的巨量转移技术都存在一个较大的问题，即，巨量的Micro-LED芯片的转移效率和转移精度都比较低，因此导致最终制造得到的Micro-LED显示器的生产周期长且良率低。

发明内容

因此，有必要提供一种Micro-LED芯片的转移方法，用以解决在Micro-LED芯片的转移过程中转移效率和转移精度低，从而造成最终制造得到的Micro-LED显示器的生产周期长且良率低的问题。

本发明提供一种Micro-LED芯片的转移方法，所述Micro-LED芯片的转移方法包括以下步骤：

提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；

提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro-LED芯片，多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极对应设置；

将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合；

去除所述第二基板。

在一些实施例中，在所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”之前，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括：

采用吸附技术，将多个所述第一Micro-LED芯片置于多个所述第一电极上。

在一些实施例中，所述吸附技术为真空吸附、静电力吸附、范德华力吸附、磁力吸附或自组装吸附。

在一些实施例中，所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”具体为：

采用倒装芯片焊技术将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合。

在一些实施例中，所述第一基板为阵列基板。

在一些实施例中，所述第一电极为铜垫。

在一些实施例中，多个所述第一电极和多个所述第一Micro-LED芯片均呈阵列状排布。

在一些实施例中，所述第一基板上还设有多个第二电极；

在所述步骤“去除所述第二基板”之后，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括以下步骤：

提供第三基板，所述第三基板上设有多个第二Micro-LED芯片，多个所述第二Micro-LED芯片与多个所述第二电极对应设置；

将多个所述第二Micro-LED芯片与多个所述第二电极进行键合；