[发明专利]一种沟槽MOSFET的制作方法在审
| 申请号： | 202010948833.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112053957A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制作方法 | ||
1.一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述制作方法如下：
步骤一：在衬底(1)的上表面生长外延层(2)；
步骤二：在外延层(2)之中形成沟槽(4)；
步骤三：采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长栅氧化层(5)，然后淀积多晶硅(6)；
步骤四：去除掉沟槽(4)之外的多晶硅(6)，然后在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)，以及对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)；
步骤五：高温退火形成P型扩散区(8)和N型扩散区(9)，且N型扩散区(9)位于P型扩散区(8)的表层之中。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：高温退火形成P型扩散区(8)和N型扩散区(9)，具体如下：
高温退火的的工艺温度为900-1000摄氏度，工艺时间为10-50分钟；
所述硼原子(11)经高温退火之后形成P型扩散区(8)，且P型扩散区(8)的深度小于沟槽(4)的深度；
所述砷原子或(和)锑原子(12)经高温退火之后形成N型扩散区(9)，且N型扩散区(9)的深度为P型扩散区(8)的深度的1/6至1/3。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)，以及对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)，具体如下：
在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)，然后采用光刻、离子注入的工艺方法对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)；或采用光刻、离子注入的工艺方法对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)，然后在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长栅氧化层(5)，高温氧化的工艺温度为850-1150摄氏度，工艺时间为10-100分钟。
5.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长栅氧化层(5)之前，采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长牺牲氧化层，高温氧化的工艺温度为850-1150摄氏度，工艺时间为10-100分钟，然后采用湿法腐蚀的工艺方法去除牺牲氧化层。
6.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述沟槽(4)的底部槽角为圆弧过渡设计。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
