[发明专利]二极管及其半导体结构在审
| 申请号： | 202010950252.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114171494A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 曹太和;戴昆育;颜承正 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 半导体 结构 | ||
1.一种二极管，实施于一半导体结构，包含：
一基板，包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中所述第一掺杂区用作所述二极管的一第一电极，所述第二掺杂区用作所述二极管的一第二电极，且所述第一掺杂区的掺杂物不同于所述第二掺杂区的掺杂物；
一第一导体结构，位于所述第一掺杂区的上方且连接所述第一掺杂区，并且具有多个第一导体，其中所述多个第一导体分布于所述半导体结构的多个导体层，且所述多个第一导体以多个导孔互相连接；以及
一第二导体结构，位于所述第二掺杂区的上方且连接所述第二掺杂区，并且具有多个第二导体，其中所述多个第二导体分布于所述半导体结构的所述多个导体层，且所述多个第二导体以多个导孔互相连接；
其中所述第一导体结构的一侧视图呈现一阶梯状。
2.根据权利要求1所述的二极管，其中，最接近所述基板的所述第一导体为所述多个第一导体中的最长者，且其他的第一导体的长度逐渐递减。
3.根据权利要求1所述的二极管，其中，所述第二导体结构的一侧视图呈现一阶梯状。
4.根据权利要求3所述的二极管，其中，最接近所述基板的所述第一导体为所述多个第一导体中的最长者，且其他的第一导体的长度逐渐递减。
5.根据权利要求4所述的二极管，其中，最接近所述基板的所述第二导体为所述多个第二导体中的最长者，且其他的第二导体的长度逐渐递减。
6.根据权利要求5所述的二极管，其中，所述多个第一导体位于所述侧视图左侧的一端对齐，且所述多个第二导体位于所述侧视图右侧的一端对齐。
7.一种二极管，实施于一半导体结构，并包含：
一基板，包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中所述第一掺杂区用作所述二极管的一第一电极，所述第二掺杂区用作所述二极管的一第二电极，且所述第一掺杂区的掺杂物不同于所述第二掺杂区的掺杂物；
一第一导体，位于所述半导体结构的一第一导体层，且连接所述第一掺杂区；
一第二导体，位于所述半导体结构的一第二导体层，且连接所述第一导体；
一第三导体，位于所述半导体结构的所述第一导体层，且连接所述第二掺杂区；以及
一第四导体，位于所述半导体结构的所述第二导体层，且连接所述第三导体；
其中在所述半导体结构的一侧视图中，所述第一导体与所述第三导体的重叠面积大于所述第二导体与所述第四导体的重叠面积。
8.根据权利要求7所述的二极管，其中，所述第一导体位于所述基板与所述第二导体之间，且所述第三导体位于所述基板与所述第四导体之间。
9.根据权利要求8所述的二极管，其中，在所述半导体结构的一俯视图或所述侧视图中，所述第二导体的长度小于所述第一导体的长度。
10.根据权利要求9所述的二极管，其中，在所述半导体结构的所述俯视图或所述侧视图中，所述第四导体的长度小于所述第三导体的长度。
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