[发明专利]二极管及其半导体结构

说明书

本公开涉及二极管及其半导体结构，二极管实施于一半导体结构，并包含基板、第一导体、第二导体、第三导体及第四导体。基板包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区用作该二极管的一第一电极，该第二掺杂区用作该二极管的一第二电极。第一导体位于该半导体结构的一第一导体层，且连接该第一掺杂区。第二导体位于该半导体结构的一第二导体层，且连接该第一导体。第三导体位于该半导体结构的该第一导体层，且连接该第二掺杂区。第四导体位于该半导体结构的该第二导体层，且连接该第三导体。在该半导体结构的一侧视图中，该第一导体与该第三导体的重叠面积大于该第二导体与该第四导体的重叠面积。

技术领域

本发明涉及二极管，尤其涉及低电磁干扰(Electro Magnetic Interference,EMI)的二极管及其半导体结构。

背景技术

图1是现有的芯片的功能方框图。芯片100包含内部电路110、内部电路120、二极管130、二极管140及输出/输入垫150。内部电路110及内部电路120负责芯片100的功能，而内部电路120通过输出/输入垫150接收信号或是输出信号。二极管130串接于电压源VDD与输出/输入垫150之间，而二极管140串接于输出/输入垫150与接地电平之间。二极管130及二极管140可以防止静电放电(electrostatic discharge,ESD)损害内部电路120。

随着集成电路的功能越来越强、操作速度越来越快，芯片100上的电磁干扰问题也越来越严重。一般而言，在解决电磁干扰的问题上，越往信号的源头着手效果越好，而且所付出的代价也较低。因此，设计低电磁干扰的二极管成为本技术领域的一个重要课题。

发明内容

鉴于先前技术的不足，本发明的一目的在于提供一种二极管及其半导体结构。

本发明披露一种二极管，应用于一半导体结构，包含基板、第一导体结构及第二导体结构。基板包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区用作该二极管的一第一电极，该第二掺杂区用作该二极管的一第二电极，且该第一掺杂区的掺杂物不同于该第二掺杂区的掺杂物。第一导体结构位于该第一掺杂区的上方且连接该第一掺杂区，并且具有多个第一导体，其中这些第一导体分布于该半导体结构的多个导体层，且这些第一导体以多个导孔互相连接。第二导体结构位于该第二掺杂区的上方且连接该第二掺杂区，并且具有多个第二导体，其中这些第二导体分布于该半导体结构的这些导体层，且这些第二导体以多个导孔互相连接。该第一导体结构的一侧视图呈现一阶梯状。

本发明另披露一种二极管，应用于一半导体结构，包含基板、第一导体、第二导体、第三导体及第四导体。基板包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区用作该二极管的一第一电极，该第二掺杂区用作该二极管的一第二电极，且该第一掺杂区的掺杂物不同于该第二掺杂区的掺杂物。第一导体位于该半导体结构的一第一导体层，且连接该第一掺杂区。第二导体位于该半导体结构的一第二导体层，且连接该第一导体。第三导体位于该半导体结构的该第一导体层，且连接该第二掺杂区。第四导体位于该半导体结构的该第二导体层，且连接该第三导体。在该半导体结构的一侧视图中，该第一导体与该第三导体的重叠面积大于该第二导体与该第四导体的重叠面积。

本发明的二极管及其半导体结构具有较小的电流回路面积，因此，相较于传统技术，本发明的二极管及其半导体结构产生较小的电磁干扰。

有关本发明的特征、实际操作与效果，配合图式作实施例详细说明如下。

附图说明

图1为现有的芯片的功能方框图；

图2为本发明一实施例的二极管在基板上的布局；

图3显示本发明一实施例的半导体结构；

图4A为本发明一实施例的二极管的第一横截面图；

图4B为本发明一实施例的二极管的第二横截面图；