[发明专利]封装结构和封装结构制作方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、芯片和转接组件；

所述转接组件至少包括第一转接板和第二转接板，所述第一转接板和所述第二转接板采用硅片；所述第一转接板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有第一线路层，所述第二表面设有第二线路层，所述第二转接板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面设有第三线路层，所述第四表面设有第四线路层；

所述第一转接板设于所述基板上，并与所述基板电连接；所述第二转接板设于所述第一转接板远离所述基板的一侧，所述芯片设于所述第二转接板上，并与所述第二转接板电连接；所述第一转接板和所述第二转接板之间设有导电柱，以使所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接；所述第一转接板和所述第二转接板之间设有缓冲层；所述第一转接板和所述第二转接板上预留切割道，所述切割道处开设沟槽，所述沟槽内填充塑封料形成切割保护层，所述切割保护层的宽度大于所述切割道的宽度。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电柱包括第一导电件，所述第一导电件依次穿过所述第四线路层、所述第三线路层、所述缓冲层、所述第二线路层和所述第一线路层，且所述第一导电件分别与所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电柱还包括第二导电件和/或第三导电件，所述第二导电件用于连接所述第一线路层和所述第二线路层，所述第三导电件用于连接所述第三线路层和所述第四线路层；

和/或，所述导电柱还包括第四导电件，所述第四导电件穿过所述缓冲层，用于连接所述第一线路层与所述第三线路层，或用于连接所述第一线路层与所述第四线路层，或用于连接所述第二线路层与所述第三线路层，或用于连接所述第二线路层与所述第四线路层。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述转接组件与所述基板之间设有胶层。

5.一种封装结构制作方法，其特征在于，包括：

提供第一转接板，所述第一转接板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有第一线路层，所述第二表面设有第二线路层；

提供第二转接板，所述第二转接板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面设有第三线路层，所述第四表面设有第四线路层；

将所述第二转接板层叠于所述第一转接板上；所述第一转接板和所述第二转接板采用硅片；

在所述第一转接板上设置缓冲胶，所述第二转接板通过所述缓冲胶固定在所述第一转接板上；固化所述缓冲胶，以使所述缓冲胶在所述第一转接板和所述第二转接板之间形成缓冲层；

在所述第一转接板和所述第二转接板上进行硅穿孔，以使所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接；

在所述第二转接板上贴装芯片；在所述第一转接板和所述第二转接板上预留切割道；在所述切割道处开设沟槽，以使所述沟槽的宽度大于所述切割道的宽度；塑封体塑封所述芯片，并填充所述沟槽。

6.根据权利要求5所述的封装结构制作方法，其特征在于，在所述第一转接板和所述第二转接板上进行硅穿孔的步骤包括：

在所述第一转接板和所述第二转接板上开设第一通孔，所述第一通孔依次穿过所述第四线路层、所述第三线路层、所述缓冲层、所述第二线路层和所述第一线路层；

在所述第一通孔内设置第一导电件，以使所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接；

和/或，在所述第一转接板上开设第二通孔，在所述第二通孔内设置第二导电件，以连接所述第一线路层和所述第二线路层；

在所述第二转接板上开设第三通孔，在所述第三通孔内设置第三导电件，以连接所述第三线路层和所述第四线路层；

在所述第一转接板和所述第二转接板之间开设第四通孔，所述第四通孔穿过所述缓冲层，在所述第四通孔内设置第四导电件，以连接所述第一线路层与所述第三线路层，或连接所述第一线路层与所述第四线路层，或连接所述第二线路层与所述第三线路层，或连接所述第二线路层与所述第四线路层。