[发明专利]封装结构和封装结构制作方法

说明书

本发明的实施例提供了一种封装结构和封装结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该封装结构包括基板、芯片和转接组件，转接组件至少包括第一转接板和第二转接板，第一转接板包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设有第一线路层，第二表面设有第二线路层，第二转接板包括相对设置的第三表面和第四表面，第三表面设有第三线路层，第四表面设有第四线路层。第一转接板设于基板上，并与基板电连接；第二转接板设于第一转接板远离基板的一侧，芯片设于第二转接板上，并与第二转接板电连接；第一转接板和第二转接板之间设有导电柱，以使第一线路层、第二线路层、第三线路层和第四线路层电连接，以提高芯片集成度。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种封装结构和封装结构制作方法。

背景技术

现有COWOS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是台积电推出的2.5D封装技术，也称为晶圆级封装。COWOS主要针对高端市场，互连线的数量、密度和封装尺寸都比较大，难以实现芯片的更高密度集成。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种封装结构和封装结构制作方法，其能够实现更多布线，提高芯片集成度，增加封装结构的多功能化。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明实施例提供一种封装结构，包括基板、芯片和转接组件；

所述转接组件至少包括第一转接板和第二转接板，所述第一转接板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有第一线路层，所述第二表面设有第二线路层，所述第二转接板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面设有第三线路层，所述第四表面设有第四线路层；

所述第一转接板设于所述基板上，并与所述基板电连接；所述第二转接板设于所述第一转接板远离所述基板的一侧，所述芯片设于所述第二转接板上，并与所述第二转接板电连接；所述第一转接板和所述第二转接板之间设有导电柱，以使所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接。

在可选的实施方式中，所述第一转接板和所述第二转接板之间设有缓冲层。

在可选的实施方式中，所述导电柱包括第一导电件，所述第一导电件依次穿过所述第四线路层、所述第三线路层、所述缓冲层、所述第二线路层和所述第一线路层，且所述第一导电件分别与所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层和所述第四线路层电连接。

在可选的实施方式中，所述导电柱还包括第二导电件和/或第三导电件，所述第二导电件用于连接所述第一线路层和所述第二线路层，所述第三导电件用于连接所述第三线路层和所述第四线路层；

和/或，所述导电柱还包括第四导电件，所述第四导电件穿过所述缓冲层，用于连接所述第一线路层与所述第三线路层，或用于连接所述第一线路层与所述第四线路层，或用于连接所述第二线路层与所述第三线路层，或用于连接所述第二线路层与所述第四线路层。

在可选的实施方式中，所述转接组件上设有切割道，所述切割道处设有切割保护层，所述切割保护层的宽度大于所述切割道的宽度。

在可选的实施方式中，所述转接组件与所述基板之间设有胶层。

第二方面，本发明实施例提供一种封装结构制作方法，包括：

提供第一转接板，所述第一转接板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有第一线路层，所述第二表面设有第二线路层；

提供第二转接板，所述第二转接板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面设有第三线路层，所述第四表面设有第四线路层；

将所述第二转接板层叠于所述第一转接板上；