[发明专利]引线框架和其制造方法

权利要求书

1.一种引线框架，其包括：

晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；

多个引线，每个引线具有顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面并且安置在所述晶粒衬垫周围；以及

第一模制原料，所述第一模制原料安置在所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间，其中所述第一模制原料通过覆盖所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面的外围的一部分来暴露所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面。

2.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述第一模制原料在所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面上方界定第一容置区域。

3.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面比所述晶粒衬垫的所述底部衬垫表面大，并且所述第一模制原料填充所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间的空间。

4.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面比所述晶粒衬垫的所述底部衬垫表面大，所述顶部引线表面比所述底部引线表面大，并且所述第一模制原料填充所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间的空间。

5.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述第一模制原料通过覆盖所述顶部引线表面的一部分来暴露所述顶部引线表面。

6.根据权利要求5所述的引线框架，其中所述顶部引线表面比所述底部引线表面大，并且所述第一模制原料填充所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间的空间。

7.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述引线中的每个引线包括在所述底部引线表面处的凹口，并且其中在所述凹口中安置有经过图案化的牺牲层。

8.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述第一模制原料包括顶部模制表面和与所述顶部模制表面相反的底部模制表面，所述引线框架进一步包括所述顶部模制表面与所述顶部衬垫表面之间的高度差。

9.根据权利要求8所述的引线框架，其进一步包括：所述底部模制表面与所述底部衬垫表面之间的高度差。

10.根据权利要求1所述的引线框架，其进一步包括：第二模制原料，所述第二模制原料安置邻近于所述顶部引线表面，其中所述第二模制原料和所述第一模制原料在所述顶部引线表面上方界定第二容置区域。

11.一种引线框架，其包括：

晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；

多个引线，所述多个引线安置在所述晶粒衬垫周围，所述引线中的每个引线包括顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面；以及

第一模制原料，所述第一模制原料安置在所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间，所述第一模制原料包括顶部模制表面和与所述顶部模制表面相反的底部模制表面，

其中从横截面视图看，所述第一模制原料通过覆盖所述顶部晶粒表面的一部分和所述顶部引线表面的一部分而包括“I”形形状。

12.根据权利要求11所述的引线框架，其进一步包括：所述顶部模制表面与所述顶部衬垫表面之间的高度差。

13.根据权利要求12所述的引线框架，其进一步包括：所述底部模制表面与所述底部衬垫表面之间的高度差。

14.根据权利要求11所述的引线框架，其中所述第一模制原料通过覆盖所述顶部衬垫表面的外围来在所述顶部衬垫表面上方界定第一容置区域。

15.根据权利要求11所述的引线框架，其进一步包括：第二模制原料，所述第二模制原料安置邻近于所述引线中的每个引线的顶部引线表面，其中所述第二模制原料和所述第一模制原料在所述顶部引线表面上方界定第二容置区域。