[发明专利]引线框架和其制造方法

说明书

本公开提供了一种引线框架，所述引线框架包含：晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；多个引线，每个引线具有顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面并且安置在所述晶粒衬垫周围；以及第一模制原料，所述第一模制原料安置在所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间。所述第一模制原料通过覆盖所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面的外围的一部分来暴露所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面。还公开了一种用于制造所述引线框架的方法。

技术领域

本公开涉及引线框架，具体地涉及预模制引线框架。

背景技术

目前需要提供引线数量非常大但总体尺寸非常小的半导体封装。半导体封装的一个组件是“引线框架”，所述引线框架是具有多个引线的导电金属部件，所述引线用于连接到半导体芯片，使得当半导体装置最终结合到电子装置中时，所述引线将从封装延伸以连接到电路板。引线框架还将具有一或多个用于在半导体制造工艺期间将引线组合成一体结构的接合条。

用于生产引线框架的两种主要方法是由金属带冲压引线框架或者使用化学蚀刻工艺来蚀刻引线框架。就大量而言，化学蚀刻工艺到目前为止是成本较高的替代方案(鉴于通过化学蚀刻工艺生产的引线框架的边际成本大得多，而用于冲压工艺的模具的固定成本相当大)。

发明内容

在一些实施例中，本公开提供了一种引线框架，所述引线框架包含：晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；多个引线，每个引线具有顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面并且安置在所述晶粒衬垫周围；以及第一模制原料，所述第一模制原料安置在所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间。所述第一模制原料通过覆盖所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面的外围的一部分来暴露所述晶粒衬垫的所述顶部衬垫表面。

在一些实施例中，本公开提供了一种引线框架，所述引线框架包含：晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；多个引线，所述多个引线安置在所述晶粒衬垫周围，所述引线中的每个引线包括顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面；以及第一模制原料，所述第一模制原料安置在所述晶粒衬垫与所述引线中的每个引线之间，所述第一模制原料包括顶部模制表面和与所述顶部模制表面相反的底部模制表面。从横截面视图看，所述第一模制原料通过覆盖所述顶部晶粒表面的一部分和所述顶部引线表面的一部分而包含“I”形形状。

在一些实施例中，本公开提供了一种用于制造引线框架的方法，所述方法包含：提供晶粒衬垫和所述晶粒衬垫周围的多个引线；在所述晶粒衬垫的顶部衬垫表面和所述引线中的每个引线的顶部引线表面上方安置第一经过图案化的牺牲层；在所述晶粒衬垫与所述多个引线之间以及在所述第一经过图案化的牺牲层上方安置模制原料；去除所述模制原料，直到暴露所述第一经过图案化的牺牲层；以及去除所述顶部衬垫表面和所述顶部引线表面上方的所述第一经过图案化的牺牲层。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A展示了根据本公开的一些实施例的引线框架的横截面视图。

图1B展示了根据本公开的一些实施例的引线框架的横截面视图。

图1C展示了根据本公开的一些实施例的引线框架的横截面视图。

图2A展示了根据本公开的一些实施例的引线框架条或矩阵的横截面视图。

图2B展示了根据本公开的一些实施例的引线框架条或矩阵的横截面视图。

图2C展示了根据本公开的一些实施例的引线框架条或矩阵的横截面视图。

图3A到图3F展示了根据本公开的一些实施例的引线框架条或矩阵在各种制造操作期间的横截面视图。