[发明专利]晶片结晶定向的估测方法与系统

权利要求书

1.一种方法，其包括：

接收第一晶片；

在所述第一晶片上界定第一区带及第二区带；

分别针对所述第一区带及所述第二区带界定多个第一区域及第二区域；

将第一离子束投影到所述第一区域上且响应于所述第一离子束而接收第一热波；

使所述第一晶片旋转达一扭角；

将第二离子束投影到所述第二区域上且响应于所述第二离子束而接收第二热波；及

基于所述第一离子束及所述第二离子束以及所述第一热波及所述第二热波估测所述第一晶片的第一结晶定向角。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一离子束投影到所述第一区域上包括在不同时间将所述第一离子束中的每一者投影到所述第一区域中的每一者上且使所述第一晶片倾斜达相应第一倾斜角，其中所述第一倾斜角具有角度差。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第二离子束投影到所述第二区域上包括在不同时间将所述第二离子束中的每一者投影到所述第二区域中的每一者上且使所述第一晶片倾斜达相应第二倾斜角，其中所述第二倾斜角分离达第二差值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中估测所述第一晶片的结晶定向角包括分别测量所述第一热波及所述第二热波的第一强度及第二强度。

5.一种方法，其包括：

在第一晶片上界定第一区带及第二区带；

将第一离子束及第二离子束分别投影到所述第一区带及所述第二区带上；

基于所述第一离子束及所述第二离子束估测所述第一晶片的第一结晶定向角；

在第二晶片上界定第三区带及第四区带；

将第三离子束及第四离子束分别投影到所述第三区带及所述第四区带上；

基于所述第三离子束及所述第四离子束估测所述第二晶片的第二结晶定向角；及

基于所述第一结晶定向角及所述第二结晶定向角估测第三晶片的第三结晶定向角。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括形成半导电铸锭且切割所述半导电铸锭以形成所述第一晶片、所述第二晶片及所述第三晶片。

7.根据权利要求5所述的方法，其中将第一离子束及第二离子束投影到所述第一区带及所述第二区带上进一步包括将所述第一离子束中的一者投影到所述第一区带的第一区域上且将所述第二离子束中的一者投影到所述第二区带的第二区域上，其中所述第一离子束中的所述一者及所述第二离子束中的所述一者具有相同能量及植入角。

8.一种方法，其包括：

接收多个晶片；

估测所述多个晶片的结晶定向角；

使所述多个晶片根据其结晶定向角分类为晶片群组；

从所述晶片群组中的一者选择至少一个晶片；及

根据所述晶片群组中的所述一者的代表性结晶定向角对所述至少一个晶片执行离子植入操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括估测执行所述离子植入操作的植入器的植入角，其中根据所述植入角执行所述离子植入操作。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个晶片包含测试晶片，其中所述多个晶片的所述结晶定向角的所述估测包括在估测其余晶片的所述结晶定向角之前估测所述测试晶片的结晶定向角。