[发明专利]晶片结晶定向的估测方法与系统

说明书

本发明实施例涉及晶片结晶定向的估测方法与系统。根据本发明的一些实施例，一种方法包含：接收第一晶片；在所述第一晶片上界定第一区带及第二区带及多个第一区域；分别针对所述第一区带及所述第二区带界定多个第一区域及第二区域；将第一离子束投影到所述第一区域上且响应于所述第一离子束而接收第一热波；使所述第一晶片旋转达一扭角；将第二离子束投影到所述第二区域上且响应于所述第二离子束而接收第二热波；及基于所述第一离子束及所述第二离子束以及所述第一热波及所述第二热波估测所述第一晶片的第一结晶定向角。

技术领域

本发明实施例涉及晶片结晶定向的估测方法与系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。为促进先进IC装置，离子植入被广泛用于将杂质掺杂到工件(例如半导体晶片)中以形成N型或P型阱。在使用离子植入的情况下，更改工件中的杂质量，以便将导电性引入到所述阱。所要杂质材料可由离子源电离且加速以形成具有规定能量的离子束。可将离子束引导到工件的前表面且穿透到工件的块体中。所植入离子可围绕晶片区域的深度分布，且离子的分布及浓度是可控的，例如通过调整植入角及射束能。

发明内容

根据本发明的实施例，一种方法包括：接收第一晶片；在所述第一晶片上界定第一区带及第二区带；分别针对所述第一区带及所述第二区带界定多个第一区域及第二区域；将第一离子束投影到所述第一区域上且响应于所述第一离子束而接收第一热波；使所述第一晶片旋转达一扭角；将第二离子束投影到所述第二区域上且响应于所述第二离子束而接收第二热波；及基于所述第一离子束及所述第二离子束以及所述第一热波及所述第二热波估测所述第一晶片的第一结晶定向角。

根据本发明的实施例，一种方法包括：在第一晶片上界定第一区带及第二区带；将第一离子束及第二离子束分别投影到所述第一区带及所述第二区带上；基于所述第一离子束及所述第二离子束估测所述第一晶片的第一结晶定向角；在第二晶片上界定第三区带及第四区带；将第三离子束及第四离子束分别投影到所述第三区带及所述第四区带上；基于所述第三离子束及所述第四离子束估测所述第二晶片的第二结晶定向角；及基于所述第一结晶定向角及所述第二结晶定向角估测第三晶片的第三结晶定向角。

根据本发明的实施例，一种方法包括：接收多个晶片；估测所述多个晶片的结晶定向角；使所述多个晶片根据其结晶定向角分类为晶片群组；从所述晶片群组中的一者选择至少一个晶片；及根据所述晶片群组中的所述一者的代表性结晶定向角对所述至少一个晶片执行离子植入操作。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式更好理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1A是展示根据一些实施例的形成半导体晶片的方法的示意图。

图1B是展示根据一些实施例的投影到半导体晶片上的离子束的示意图。

图2是根据一些实施例的估测半导体晶片的结晶定向角的方法的流程图。

图3是展示根据一些实施例的具有分割区带的半导体晶片的表面的示意图。

图4是展示根据一些实施例的离子束投影的示意图。

图5是说明根据一些实施例的热波强度对晶片倾斜角的示意图。

图6是根据一些实施例的估测半导体晶片的结晶定向角的方法的流程图。

图7是根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。

图8是根据一些实施例的实施结晶定向角估测方法的系统的示意图。

具体实施方式