[发明专利]通过紫光和其转换光进行害虫控制的方法

权利要求书

1.一种防治害虫的方法，其特征在于，包括采用第一发射光和第二转换光对害虫发生场所进行光照处理；

其中，所述第一发射光包括峰值波长在310纳米到400纳米之间的发射光；

所述第二转换光通过所述第一发射光激发获得，其中至少5％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光；

所述第二转换光包括选自下列中的至少一种：

峰值波长在500纳米到570纳米之间，半高全宽不超过40纳米，优选不超过30纳米的转换光；

峰值波长在560纳米到590纳米之间，半高全宽不超过40纳米，优选不超过30纳米的转换光；

峰值波长在400纳米到490纳米之间，半高全宽不超过40纳米，优选不超过30纳米的转换光；

峰值波长在610纳米到660纳米之间，半高全宽不超过40纳米，优选不超过30纳米的转换光。

2.一种防治害虫的方法，其特征在于，包括采用第一发射光和第二转换光对害虫发生场所进行光照处理；所述第一发射光包括峰值波长在310纳米到400纳米之间的发射光；

所述第二转换光经过所述第一发射光激发获得，其中至少5％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二发射光；

所述第二转换光包括：

峰值波长在500纳米到570纳米之间，半高全宽不超过40纳米的转换光；和

峰值波长在560纳米到590纳米之间，半高全宽不超过40纳米的转换光。

3.一种防治害虫的方法，其特征在于，包括采用第一发射光和第二转换光对害虫发生场所进行光照处理；所述第一发射光包括峰值波长在310纳米到400纳米之间的发射光；

所述第二转换光经过所述第一发射光激发获得，其中至少5％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光；

所述第二转换光包括：峰值波长在400纳米到490纳米之间，半高全宽不超过40纳米的转换光。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的防治害虫的方法，其特征在于，至少10％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光；

任选地，至少20％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光；

优选地，20％～80％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光；

任选地，20％～60％光强度的所述第一发射光经激发转换为所述第二转换光。

5.根据权利要求1所述的防治害虫的方法，其特征在于，所述第一发射光包括峰值波长在330纳米到400纳米之间，半高全宽不超过40纳米的发射光；

任选地，利用固体发光元件获得所述第一发射光，所述固体发光元件包括选自发光LED、激光LED、有机发光半导体中的至少一种；

任选地，所述固体发光元件由包括选自GaN类半导体材料、ZnO类半导体材料、SiC类半导体材料中的至少一种制成。

6.根据权利要求5所述的防治害虫的方法，其特征在于，利用所述第一发射光对窄波荧光体进行激发，以便获得所述第二转换光，所述第二转换光包括窄波绿光，窄波黄光，窄波蓝光和窄波红光中的至少一种；

任选地，所述窄波荧光体包括选自下列中的至少一种：

Mn²⁺激活的γ-AlON荧光体，包括元素Si、Al、O和N的磷光体材料，含有Li作为金属成分的α-型SiAlON荧光体，含有Ca作为金属成分的的α-型SiAlON荧光体、Eu或Ce激活的氮化硅荧光体，IIA/IIB族硒硫化物的磷光体材料，包括元素In和Al的GaN类材料，Mn⁴⁺掺杂的氟化物或氟氧化物荧光体和量子点；

任选地，所述量子点包括选自硅类纳米晶体、ⅡB-VIA族化合物半导体纳米晶体、ⅢA-VA族化合物半导体纳米晶体、VA-VIA族化合物纳米晶体中的至少一种。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的防治害虫的方法，其特征在于，进一步包括：

对所述光照处理的光照强度、光照时间以及发光频率的至少之一进行调整。