[发明专利]检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置

说明书

本发明属于光探测技术领域，涉及一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括：提供超导纳米线单光子探测器件，所述超导纳米线单光子探测器件包括探测芯片，所述探测芯片与入射光纤相对准；获取所述探测芯片的图像，所述图像包括所述探测芯片的探测面的中心和入射到所述探测面上的所述入射光纤的光斑；对所述图像进行处理，获取所述光斑的中心与所述探测面的中心之间的距离，以根据所述距离获取所述入射光纤与所述探测芯片的对准结果。本发明能够检测超导纳米线单光子探测器件的对准度，从而能够在一定程度上提高超导纳米线单光子探测器件的对准精度。

技术领域

本发明属于光探测技术领域，涉及一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

超导纳米线单光子探测器件，即SNSPD，是基于超导原理的一类单光子探测器件，相对于传统的半导体单光子探测器(雪崩光电二极管和光电倍增管)，SNSPD的优点是响应速度快、暗计数低、时间抖动小、计数率高及响应频段宽等。这使得它在量子通信、和激光雷达等领域都有着很广泛的应用前景。

超导纳米线单光子探测器件中设有探测芯片。探测芯片包含低温超导材料。探测时，将探测芯片置于低温超导环境下，当光子入射到探测芯片上时，在光子的热能量作用下，探测芯片会出现局部失超，在施加到探测芯片上的偏置电流的作用下，探测芯片会产生电脉冲信号，通过检测电脉冲信号，能够对光子进行探测。在利用超导纳米线单光子探测器件进行光子探测时，为提高超导纳米线单光子探测器件的探测灵敏度，优化探测芯片的光耦合效果，需要将超导纳米线单光子探测器件中的探测芯片与用于传导光的光传导件对准。

现有技术中，常常采用光纤作为光传导件。采用光纤作为光传导件时，由于光纤头处的出光面较小，所采用的探测芯片的探测面也通常较小，很难判断光纤头与探测芯片是否对准。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质，所述检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质能够检测超导纳米线单光子探测器件中用于出光的光纤头与用于探测光子的探测芯片之间的对准结果，从而在一定程度上能够提高超导纳米线单光子探测器件的对准精度。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明一实施例提供一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法，所述方法包括：

提供超导纳米线单光子探测器件，所述超导纳米线单光子探测器件包括探测芯片，所述探测芯片与入射光纤相对准；

获取所述探测芯片的图像，所述图像包括所述探测芯片的探测面的中心和入射到所述探测面上的所述入射光纤的光斑；

对所述图像进行处理，获取所述光斑的中心与所述探测面的中心之间的距离，以根据所述距离获取所述入射光纤与所述探测芯片的对准结果。

优选地，获取所述探测芯片的图像的方法包括：

控制图像采集部件拍摄位于显微镜视野中的所述探测芯片，获取位于所述视野中的所述探测芯片的图像。

优选地，获取所述对准结果的方式包括：

判断所述距离是否在预设数值范围内；根据判断结果，获取所述对准结果。

优选地，所述超导纳米线单光子探测器件包括自对准超导纳米线单光子探测器件，所述自对准超导纳米线单光子探测器件包括芯片固定件，所述芯片固定件中设有安装孔，所述探测芯片安装在所述安装孔中，所述入射光纤的光纤头插设于所述安装孔中。

优选地，所述安装孔中还安装有插芯，所述插芯与所述探测芯片的底面相对，所述底面与所述探测面为所述探测芯片的两相对面。