[发明专利]一种GaN光传感生物传感芯片及其制备方法和应用在审
申请号: | 202010958064.8 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112216711A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 朱玲;吴懿平;吕卫文;祝超 | 申请(专利权)人: | 深圳远芯光路科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/00;G01N21/63;G01N33/573;G01N33/574;G01N33/577;G01N33/58 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;王朝毅 |
地址: | 518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gan 传感 生物 芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,包括LED阵列和PD阵列,所述LED阵列包括若干个串联的微型柱状LED结构,所述PD阵列包括若干个串联的微型柱状LED结构,所述LED阵列外接电源;所述LED阵列和PD阵列的各个微型柱状LED结构按顺序依次包括紫外光敏树脂层、GaN LED外延层和液晶聚合物基板;所述GaN LED外延层按顺序依次包括p-GaN层、InxGa1-xN/GaN多维量子阱、n-GaN层,所述p-GaN层与所述紫外光敏树脂层接触连接,所述n-GaN层与所述液晶聚合物基板接触连接,所述GaN LED外延层中的部分n-GaN层暴露,暴露的n-GaN层上接触连接有n欧姆接触垫,所述GaN LED外延层中的部分p-GaN层暴露,暴露的p-GaN层上接触连接有p欧姆接触垫,所述LED阵列的微型柱状LED结构通过n欧姆接触垫和p欧姆接触垫串联,所述PD阵列的微型柱状LED结构通过n欧姆接触垫和p欧姆接触垫串联。
2.根据权利要求1所述的GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,所述LED阵列和PD阵列的各个微型柱状LED结构为正六棱柱状LED结构,所述正六棱柱状LED结构的上底面与所述液晶聚合物基板所在平面平行。
3.根据权利要求1所述的GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,所述LED阵列呈矩阵列分布,所述PD阵列呈矩阵列分布,以所述液晶聚合物基板所在平面构建平面直角坐标系,则LED阵列的微型柱状LED结构所在的坐标为(2a,b),所述LED阵列的微型柱状LED结构所在的坐标为(2a+1,b),其中,a为按数轴顺序排列的整数,b为按数轴顺序排列的整数。
4.根据权利要求1所述的GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,所述LED阵列中的微型柱状LED结构与所述PD阵列中的微型柱状LED结构的数量比例为1:1。
5.根据权利要求1所述的GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,所述PD阵列外接电流检测设备。
6.根据权利要求1所述的GaN光传感生物传感芯片,其特征在于,所述InxGa1-xN/GaN多维量子阱材料InGaN中In的组分为0.50≤x≤0.52,所述LED阵列的中心波长为600~620nm。
7.一种生物传感器,其特征在于,所述生物传感器包括PSA反应板和如权利要求1-6任一所述的GaN光传感生物传感芯片。
8.如权利要求7所述生物传感器检测前列腺特异性抗原的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)将已知浓度的单克隆抗体溶液涂覆在PSA反应板的微孔中,用酪蛋白作为阻滞剂封闭,将待测的前列腺特异性抗原样品与单克隆抗体结合,将胶体金标记的第二抗体与前列腺特异性抗原混合,所述胶体金标记的第二抗体为多克隆抗体(pab)–PSA–Au纳米颗粒(NP)偶联物(pab–PSA–Au NP),将胶体金标记的第二抗体与前列腺特异性抗原的混合物与Ag混合染色;(2)将如权利要求1-6任一所述的GaN光传感生物传感芯片的LED阵列接通电源发光辐射步骤(1)中的PSA反应板;(3)将步骤(2)所述GaN光传感生物传感芯片的PD阵列电连接电流检测设备获得光电流信号;(4)将步骤(3)获得的信号进行外标法定量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的