[发明专利]预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法有效
| 申请号： | 202010958481.2 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112185820B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 袁明;程刘锁;范晓;王函;陈广龙;米魁;李伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预防 集成电路 器件 盘结 缺陷 方法 | ||
1.一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供带有焊盘结构的半导体集成电路器件，所述焊盘结构上形成焊盘氧化层，所述焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中含有氟离子；
步骤S2：通过刻蚀剂，刻蚀去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层；
步骤S3：进行氧化工艺，在去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层后的所述焊盘结构上，形成保护氧化层；
所述步骤S1，包括以下步骤：
步骤S11：形成焊盘结构，在所述焊盘结构的周围形成保护介质层，在所述保护介质层的上表面形成钝化层；
步骤S12：通过光刻胶在所述钝化层上定义出焊盘图形；
步骤S13：刻蚀打开所述焊盘图形位置处的所述钝化层和保护介质层，形成焊盘窗口，所述焊盘结构的上表面外露于所述焊盘窗口；
步骤S14：清洗所述半导体集成电路器件，去除剩余光刻胶；
步骤S15：使得所述焊盘结构外露的表面上形成焊盘氧化层；
步骤S16：进行退火工艺；在退火工艺中，残余的氟离子，沿焊盘结构晶粒边界溢出焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中；
所述步骤S3，包括以下步骤：
在温度为230℃～270℃的环境下，以7000ml/min～7500ml/min的流速通入25s～35s时间的氧气，使得所述焊盘结构的上表面形成保护氧化层。
2.如权利要求1所述的预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为15K埃～19K埃。
3.如权利要求1所述的预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述焊盘结构的成分包括铝。
4.如权利要求1所述的预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述焊盘氧化层的成分包括氧化铝。
5.如权利要求1所述的预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述焊盘结晶缺陷的成分包括氟氧化铝。
6.如权利要求1所述的预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，其特征在于，所述保护氧化层的厚度为4埃～6埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
