[发明专利]预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法

说明书

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法。所述预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，包括以下步骤：步骤S1：提供带有焊盘结构的半导体集成电路器件，所述焊盘结构上形成焊盘氧化层，所述焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中含有氟离子；步骤S2：通过刻蚀剂，刻蚀去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层；步骤S3：进行氧化工艺，在去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层后的所述焊盘结构上，形成保护氧化层。本申请可以预防相关技术中集成电路器件焊盘出现结晶缺陷的问题。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法。

背景技术

在现代半导体工艺中，随着芯片集成度的增加和尺寸的减小，芯片引脚间距越来越细密化，微电子封装的精度要求越来越高，封装键合质量及可靠性控制与提升的难度加大，芯片焊盘的结晶缺陷也是引起键合问题的主要原因之一。

相关技术中，无论是以铝作为内互连材料的技术，还是以铜作为内互连材料的技术，其焊盘制造仍使用铝合金。然而在铝焊盘制作过程中，其退火步骤，参照图6，会导致图6所示铝焊盘310中的氟离子340沿着晶格间隙320溢出，并附着在铝焊盘 310表面。氟离子能够与铝焊盘310发生化学反应，从而诱发铝焊盘结晶缺陷(PAD Crystal Defect)。

解决焊盘工艺缺陷问题，对于提高半导体的键合、封装的质量与可靠性具有很高的理论和应用价值。

发明内容

本申请提供了一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，可以预防相关技术中集成电路器件焊盘出现结晶缺陷的问题。

本申请提供一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，所述预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，包括以下步骤：

步骤S1：提供带有焊盘结构的半导体集成电路器件，所述焊盘结构上形成焊盘氧化层，所述焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中含有氟离子；

步骤S2：通过刻蚀剂，刻蚀去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层；

步骤S3：进行氧化工艺，在去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层后的所述焊盘结构上，形成保护氧化层。

可选的，所述步骤S1，包括以下步骤：

步骤S11：形成焊盘结构，在所述焊盘结构的周围形成保护介质层，在所述保护介质层的上表面形成钝化层；

步骤S12：通过光刻胶在所述钝化层上定义出焊盘图形；

步骤S13：刻蚀打开所述焊盘图形位置处的所述钝化层和保护介质层，形成焊盘窗口，所述焊盘结构的上表面外露于所述焊盘窗口；

步骤S14：清洗所述半导体集成电路器件，去除剩余光刻胶；

步骤S15：使得所述焊盘结构外露的表面上形成焊盘氧化层；

步骤S16：进行退火工艺；在退火工艺中，残余的氟离子，沿焊盘结构晶粒边界溢出焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中。

可选的，所述钝化层的厚度为15KA～19KA。

可选的，所述焊盘结构的成分包括铝。

可选的，所述焊盘氧化层的成分包括氧化铝。

可选的，所述含氟焊盘结晶缺陷的成分包括氟氧化铝。

可选的，所述步骤S3，包括以下步骤：

在温度为230℃～270℃的环境下，以7000ml/min～7500ml/min的流速通入 25s～35s时间的氧气，使得所述焊盘结构的上表面形成保护氧化层。

可选的，所述保护氧化层的厚度为4A～6A。