[发明专利]一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板有效
| 申请号： | 202010960576.8 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112242298B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;雍万飞;许哲豪;夏玉明;袁海江 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制作方法 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基底和依次形成在基底上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层和透明电极层；
所述钝化层包括形成在第二金属层和半导体层上的第一氮化硅层、形成在第一氮化硅层上的第二氮化硅层和形成在第二氮化硅层上的第三氮化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层通过原子层沉积方法制成；
所述第一氮化硅层用SiNx1形成、第二氮化硅层用SiNx2形成和第三氮化硅层用SiNx3形成，所述x1的取值大于x2和x3。
2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述x1的取值范围为1.21-1.31，x2的取值范围为1.1-1.2，x3的取值范围为1.0-1.2。
3.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，在形成第一氮化硅层的时候，使用的是N2作为供氮前驱体；在形成第二氮化硅层的时候，使用的是NH3作为供氮前驱体；在形成第三氮化硅层的时候，使用的是N2+NH3作为供氮前驱体。
4.一种显示面板，其特征在于，包括上述权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
