[发明专利]一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

说明书

本申请公开了一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，包括通入硅烷前驱体的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的硅烷前驱体，完成通入后停留预设时间；第一次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；通入供氮前驱体的步骤：持续通入预设时间的供氮前驱体，完成通入后停留预设的时间；第二次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；以及重复预设次数的通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤，以形成氮化硅薄膜。解决液晶面板显示出现暗点现象。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

背景技术

显示面板近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD(ThinFilm Transistor-LCD，薄膜晶体管液晶显示屏)而言，包括阵列基板和彩膜基板，在阵列基板上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管控制像素电极的开关，薄膜晶体管打开时，像素电极产生电压，使得液晶分子发生偏转，显示画面。

在液晶面板的制作中，在形成薄膜晶体管时，钝化层在刻蚀形成接触孔洞时，容易出现钻蚀(Passivation Undercut，PV Undercut)现象，在使用中可能导致液晶面板显示出现暗点等问题，导致液晶面板显示异常。

发明内容

本申请的目的是提供一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，解决液晶面板显示出现暗点现象。

本申请公开了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：

通入硅烷前驱体的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的硅烷前驱体，完成通入后停留预设时间；

第一次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；

通入供氮前驱体的步骤：持续通入预设时间的供氮前驱体，完成通入后停留预设的时间；

第二次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；以及

重复预设次数的通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤，以形成氮化硅薄膜。

可选的，所述硅烷前驱体持续通入的预设时间为0.01至0.03秒，完成通入后停留的预设时间为0.02至0.04秒。

可选的，所述第一次通入惰性气体的步骤的惰性气体持续吹扫预设时间为2至10秒。所述第二次通入惰性气体的步骤的惰性气体持续吹扫预设时间为15至25秒。

可选的，所述供氮前驱体持续通入的预设时间为3至8秒，完成通入后停留的预设时间为15至25秒。

可选的，所述重复通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤的预设次数为400至600次。

可选的，所述氮化硅薄膜的制作方法包括：

通入硅烷前驱体的步骤：在原子层沉积装置中通入0.02秒的硅烷前驱体，停留0.03秒；

第一次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫5秒；

通入供氮前驱体的步骤：通入5秒的供氮前驱体，停留20秒；

第二次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫20秒；以及

通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤重复500次，以形成氮化硅薄膜。

本申请还公开了一种薄膜晶体管，包括基底和依次形成在基底上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层和透明电极层。