[发明专利]用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构及其形成方法在审
申请号: | 202010962938.7 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112115671A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 赵丙南 | 申请(专利权)人: | 纳瓦电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F115/12 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 孟湘明;刘敏慧 |
地址: | 200335 上海市长宁*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改善 处理器 时钟 信号 电磁辐射 电路 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其特征在于,所述用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构包括一处理器,所述处理器包括至少一时钟信号端、一功能模块、一脉冲宽度调制信号端口以及一IO端口,其中所述功能模块与所述时钟信号端电性连接,所述脉冲宽度调制信号端口和所述IO端口之间电性连接一线路而形成至少一抵消回路,从而抵消所述时钟信号端与所述功能模块之间电性连接而产生的电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述时钟信号端与所述功能模块通过一第一连接线路电性连接,所述抵消回路包括至少一第二连接线路,其中所述第二连接线路与所述第一连接线路相互平行且电流方向相反。
3.根据权利要求2所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述处理器进一步包括至少一PCB板,所述第一连接线路和所述第二连接线路均被设置于所述PCB板。
4.根据权利要求3所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述第一连接线路和所述第二连接线路均被设置于所述PCB板的表层。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述抵消回路中除所述第二连接线路之外的其余连接线路被设置于所述PCB板的内层。
6.根据权利要求5所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述时钟信号端的工作频率为25MHz或者其倍频。
7.根据权利要求6所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构,其中所述脉冲宽度调制信号端口的工作频率与所述时钟信号端的工作频率一致。
8.一种用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:
1001:选择一处理器上空闲的至少一IO端口和一脉冲调制宽度信号端口,并通过至少一线路电性连接于所述IO端口和所述脉冲调制宽度信号端口之间,以形成至少一抵消回路;以及
1002:电性连接所述处理器上的一时钟信号端和一功能模块之间以形成第一连接线路,所述抵消回路中的一部分电路为第二连接线路;以及
1003:调整所述第二连接线路以使其与所述第一连接线路的电流方向相反。
9.根据权利要求8所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构的形成方法,其中所述处理器包括一PCB板,所述第一连接线路和所述第二连接线路分别被设置于所述PCB板的表层。
10.根据权利要求9所述的用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构的形成方法,其中所述处理器中的所述脉冲调制宽度信号端口的工作频率与所述时钟信号端的工作频率一致。
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