[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；

在所述第一区的所述衬底上形成第一掩膜结构；

在所述第二区的所述衬底内形成第二鳍部材料层，所述第二鳍部材料层的顶部表面与所述第一区的衬底的顶部表面齐平；

在所述第二鳍部材料层上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构与所述第一掩膜结构的材料不同；

在所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构上形成若干分立排布的鳍部图形；

以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第二掩膜结构和所述第二鳍部材料层，至露出所述衬底的表面，在所述第二区的衬底上形成第二鳍部；

形成覆盖所述第二鳍部侧壁的保护层；

以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第一掩膜结构和所述第一区的衬底，在所述第一区的衬底上形成第一鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构包括：位于所述第一区的衬底表面的第一掩膜层和位于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层和所述第一掩膜层的材料不同，所述第一掩膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅；所述第二掩膜层的材料为碳化硅或氮氧化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二掩膜层上形成第三掩膜层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜结构和所述第三掩膜层的步骤包括：

在所述第一区和第二区的衬底上依次形成第一掩膜材料膜、第二掩膜材料膜以及第三掩膜材料膜；

在所述第三掩膜材料膜上形成图形化层，所述图形化层位于所述第一区的所述第三掩膜材料膜上；

以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第三掩膜材料膜、所述第二掩膜材料膜和所述第一掩膜材料膜，直至暴露出所述第二区的所述衬底表面。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区的所述衬底内形成第二鳍部材料层的步骤包括：

以所述第三掩膜层和所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第二区的所述衬底，在所述第二区的所述衬底内形成第一开口；

在所述第一开口内形成初始第二鳍部材料层，所述初始第二鳍部材料层的顶部表面与所述第三掩膜层的顶部表面齐平；

刻蚀所述初始第二鳍部材料层，至所述初始第二鳍部材料层的顶部表面与所述第一区的衬底的顶部表面齐平，形成第二鳍部材料层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜结构包括：第四掩膜层；所述第四掩膜层的材料包括氧化硅。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜结构的步骤包括：

在所述第二鳍部材料层上形成第四掩膜材料膜，所述第四掩膜材料膜还位于所述第一掩膜结构上；

对所述第四掩膜材料膜进行平坦化处理，直至暴露出所述第一掩膜结构的表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部图形的方法包括自对准多重图案成形工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第二掩膜结构和所述第二鳍部材料层的步骤包括：

以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第二掩膜结构，至暴露出所述第二鳍部材料层的表面；

继续刻蚀所述第二鳍部材料层，至暴露出所述第二区的所述衬底的表面。