[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽；

在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内；

对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构和第一介质层的形成方法包括：在衬底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层位于所述凹槽内；在初始第一介质层上形成图形化的掩膜结构，所述掩膜结构暴露出部分所述凹槽内的初始第一介质层表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述初始第一介质层，直至暴露出衬底表面，在初始第一介质层内形成隔离开口；在隔离开口内形成所述初始隔离结构；形成初始隔离结构之后，回刻蚀所述初始第一介质层，形成第一介质层，所述第一介质层暴露出部分所述初始隔离结构，且所述第一介质层顶部表面低于所述纳米结构顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构在所述纳米结构的排列方向上具有第一尺寸，所述隔离结构在所述纳米结构的排列方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸的范围为大于10纳米；所述第二尺寸的范围为1纳米～5纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始隔离结构进行刻蚀的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺或各向同性湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括：四氟化碳和氩气，或者四氟化碳和氦气。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述纳米结构包括：第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区；所述第一区包括底层纳米线，所述第一介质层位于第一区侧壁且所述第一介质层低于所述第二区的底部平面；所述第二区包括若干复合层，所述复合层包括牺牲层和位于牺牲层上的纳米线；所述第三区包括顶层牺牲层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述顶层牺牲层的厚度大于所述牺牲层的厚度；所述顶层牺牲层的厚度大于所述牺牲层的厚度范围为3纳米～10纳米。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构之后，还包括：在衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述纳米结构，且所述隔离结构隔离相邻的栅极结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的材料包括金属。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：形成隔离结构之后，在第一介质层上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述纳米结构和隔离结构；在伪栅极结构侧壁形成第二介质层；去除所述伪栅极结构，在第二介质层内形成第一开口；去除所述第一开口暴露出的牺牲层和顶层牺牲层，在相邻纳米线之间以及底层纳米线和纳米线之间形成第二开口；在第一开口内和第二开口内形成栅极结构。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：形成隔离结构之前，在第一介质层上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述纳米结构和初始隔离结构；在伪栅极结构侧壁形成第二介质层；去除所述伪栅极结构，在第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述初始隔离结构。