[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，具有：

处理基板的处理室，和

基板支撑部，其设置在所述处理室内并具有多个载置所述基板的载置部；

所述处理室具有向所述基板供给处理气体的处理区域和对所述基板进行吹扫的吹扫区域；

所述吹扫区域具有以第一压力进行吹扫的第一吹扫区域和以比所述第一压力高的第二压力进行吹扫的第二吹扫区域。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在所述吹扫区域中，设置顶部和分隔部，所述顶部与所述基板支撑部相对而设置，所述分隔部与所述顶部连续地形成且将所述第一吹扫区域和所述第二吹扫区域分隔开；

所述第一吹扫区域的顶部的高度为：比所述第二吹扫区域的顶部的高度低，且为所述分隔部的下端位置以上的高度。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

与所述第一吹扫区域连接的排气配管的直径比与所述第二吹扫区域连接的排气配管的直径大。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

由构成所述处理室的处理容器的顶板的下表面构成所述顶部，

所述第一吹扫区域的顶板的上表面的高度比所述第二吹扫区域的顶板的上表面的高度低。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述第一吹扫区域中的所述基板的移动距离比所述第二吹扫区域中的所述基板的移动距离长。

6.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述第一吹扫区域中的所述基板的移动距离比所述第二吹扫区域中的所述基板的移动距离长。

7.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述第一吹扫区域中的所述基板的移动距离比所述第二吹扫区域中的所述基板的移动距离长。

8.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述吹扫区域进一步具有以第三压力进行吹扫的第三吹扫区域，

该基板处理装置具有：

吹扫气体供给部，其向所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域供给吹扫气体，以及

控制部，所述控制部构成为控制所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域中的排气量和由所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体的供给流量中的任一方或双方，使得所述第三吹扫区域中的压力比所述处理区域中的压力低，比所述第二吹扫区域中的压力高。

9.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述吹扫区域进一步具有以第三压力进行吹扫的第三吹扫区域，

该基板处理装置具有：

吹扫气体供给部，其向所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域供给吹扫气体，以及

控制部，所述控制部构成为控制所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域中的排气量和由所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体的供给流量中的任一方或双方，使得所述第三吹扫区域中的压力比所述处理区域中的压力低，比所述第二吹扫区域中的压力高。

10.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述吹扫区域进一步具有以第三压力进行吹扫的第三吹扫区域，

该基板处理装置具有：

吹扫气体供给部，其向所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域供给吹扫气体，以及

控制部，所述控制部构成为控制所述第二吹扫区域和所述第三吹扫区域中的排气量和由所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体的供给流量中的任一方或双方，使得所述第三吹扫区域中的压力比所述处理区域中的压力低，比所述第二吹扫区域中的压力高。