[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质在审

申请号：	202010963604.1	申请日：	2020-09-14
公开（公告）号：	CN113451169A	公开（公告）日：	2021-09-28
发明（设计）人：	大桥直史;稻田哲明	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	陈彦;李宏轩
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置半导体制造方法记录介质
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【说明书】：

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。本发明能够将副产物除去并抑制颗粒的产生。本发明的基板处理装置具有处理基板的处理室和基板支撑部，该基板支撑部设置在处理室内并具有多个载置基板的载置部；所述处理室具有向基板供给处理气体的处理区域和对基板进行吹扫的吹扫区域，吹扫区域具有以第一压力进行吹扫的第一吹扫区域和以比第一压力高的第二压力进行吹扫的第二吹扫区域。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。

背景技术

作为处理半导体基板的装置，已知有将多个基板在周方向上配置在基板载置台上并使该基板载置台旋转，来向多个基板供给多种类气体的旋转型装置。此外，已知有在将多个基板叠载的状态下，使用在基板叠载方向延伸的原料气体喷嘴向多个基板供给原料气体的纵型装置。例如，参照专利文献1、专利文献2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-34013号公报

专利文献2：日本特开2017-147262号公报

发明内容

发明要解决的课题

伴随着半导体设备的三维结构化，要求对高纵横比的槽内进行被覆性良好的成膜处理。在旋转型装置中，将处理室分隔成多个处理区域，在各处理区域内进行各处理。因此，需要将由成膜气体生成的副产物从槽内除去。

本公开提供一种解决上述课题的将高纵横比的槽内的副产物除去且抑制颗粒的产生的技术。

解决课题的方法

根据本公开的一个方案，提供一种基板处理装置，具有处理基板的处理室和基板支撑部，该基板支撑部设置在上述处理室内且具有多个载置上述基板的载置部，上述处理室具有向上述基板供给处理气体的处理区域和对上述基板进行吹扫的吹扫区域，上述吹扫区域具有以第一压力进行吹扫的第一吹扫区域和以比上述第一压力高的第二压力进行吹扫的第二吹扫区域。

发明效果

根据本公开，能够除去副产物并抑制颗粒的产生。

附图说明

图1是本公开的一个实施方式涉及的基板处理装置所具有的反应器的横截面概略图。

图2是本公开的一个实施方式涉及的基板处理装置所具有的反应器的纵截面概略图，是图1所示的反应器的A-A'线截面图。

图3是对本公开的第一个实施方式涉及的基板保持机构进行说明的说明图。

图4中，(A)是对本公开的一个实施方式涉及的原料气体供给部进行说明的说明图，(B)是对本公开的一个实施方式涉及的反应气体供给部进行说明的说明图，(C)是对本公开的一个实施方式涉及的非活性气体供给部进行说明的说明图。

图5是本公开的一个实施方式涉及的基板处理装置所具有的反应器的纵截面概略图，是图1所示反应器的B-B'线截面图。

图6是对本公开的一个实施方式涉及的控制器进行说明的说明图。

图7是对本公开的一个实施方式涉及的基板处理工序进行说明的流程图。

图8是对本公开的一个实施方式涉及的成膜工序进行说明的流程图。

图9是本公开的一个实施方式涉及的基板处理装置所具有的反应器的纵截面概略图，是图1所示反应器的B-B'线截面图的变形例。