[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；

沟道结构层，位于所述鳍部上且与所述鳍部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个间隔设置的沟道层；

器件栅极结构，横跨所述鳍部和沟道结构层且包围所述沟道层；

源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层和鳍部中；

层间介质层，位于所述源漏掺杂层的顶部，且覆盖所述器件栅极结构的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿平行于所述衬底且与所述器件栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，位于所述沟道层正下方的器件栅极结构的侧壁相对于所述沟道层的侧壁向内缩进；

所述半导体结构还包括：内壁层，位于所述沟道层正下方的所述器件栅极结构的侧壁和所述源漏掺杂层之间。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层包括：第一源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的所述沟道结构层中；

第二源漏掺杂层，位于所述第一源漏掺杂层底部的所述鳍部中，沿平行于所述衬底且与所述器件栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，所述第二源漏掺杂层的侧壁相对于所述第一源漏掺杂层的侧壁向内缩进。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二源漏掺杂层的侧壁相对于所述第一源漏掺杂层的侧壁向内缩进2nm至5nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件栅极结构为金属栅极结构。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层位于部分厚度的所述鳍部中。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层的底部至所述鳍部的顶部的距离为20nm至60nm。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部上形成有一个或多个堆叠的沟道叠层，每一个所述沟道叠层包括牺牲层以及位于所述牺牲层上的沟道层；

在所述衬底上形成横跨所述沟道叠层和鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；

在所述栅极结构两侧的沟道叠层和鳍部中形成凹槽，所述凹槽的侧壁暴露出沟道叠层和鳍部；

在所述凹槽中形成源漏掺杂层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：在所述栅极结构两侧的沟道叠层中形成第一凹槽，第一凹槽的侧壁暴露出沟道叠层，第一凹槽的底部暴露出所述鳍部；

刻蚀所述第一凹槽底部的鳍部，在所述鳍部中形成第二凹槽，所述第二凹槽的顶部与第一凹槽的底部相连通，所述第二凹槽与第一凹槽用于构成所述凹槽，沿平行于所述衬底且与所述栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度，所述第二凹槽的侧壁相对于所述第一凹槽的侧壁向内缩进。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的沟道叠层和部分厚度的所述鳍部中形成所述凹槽。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽后，刻蚀所述第一凹槽底部的鳍部之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述第一凹槽的侧壁以及所述栅极结构的侧壁形成保护层；

形成所述第二凹槽的步骤包括：以所述保护层为掩膜，刻蚀所述第一凹槽底部的部分厚度的鳍部，形成第二凹槽；

在形成所述第二凹槽之后，在形成所述源漏掺杂层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述第一凹槽侧壁以及所述栅极结构侧壁的保护层。